Susceptor de barril revestido de SiC para crescimento de LPE

Com seu alto ponto de fusão, resistência à oxidação e resistência à corrosão, o susceptor de barril revestido de SiC Semicorex para crescimento de LPE é a escolha perfeita para uso em aplicações de crescimento de cristal único. Seu revestimento de carboneto de silício oferece propriedades excepcionais de planicidade e distribuição de calor, garantindo um desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes de alta temperatura mais exigentes.

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Descrição do produto

O susceptor de barril revestido de SiC Semicorex para crescimento de LPE é um produto de grafite de alta qualidade revestido com SiC de alta pureza, projetado especificamente para processos de LPE e outras aplicações de fabricação de semicondutores. Sua excepcional densidade e condutividade térmica fornecem proteção e distribuição de calor superiores em ambientes corrosivos e de alta temperatura.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer susceptor de barril revestido de SiC de alta qualidade e econômico para crescimento de LPE, priorizamos a satisfação do cliente e fornecemos soluções econômicas. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de alta qualidade e atendimento excepcional ao cliente.

Parâmetros do susceptor de barril revestido de SiC para crescimento de LPE

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor de barril revestido de SiC para crescimento de LPE

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.