Susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial de LPE

Nosso susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial de LPE é um produto confiável e de alta qualidade que oferece excelente custo-benefício. Sua resistência à oxidação em alta temperatura, perfil térmico uniforme e prevenção de contaminação fazem dele a escolha ideal para o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade em chips de wafer. Seus baixos requisitos de manutenção e capacidade de personalização tornam-no um produto altamente competitivo no mercado.

Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial de LPE.

Parâmetros do susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial de LPE

Características do susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial de LPE

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.