Susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial LPE

O susceptor de barril revestido de SiC Semicorex para crescimento epitaxial LPE é um produto de alto desempenho projetado para fornecer desempenho consistente e confiável por um período prolongado. Seu perfil térmico uniforme, padrão de fluxo de gás laminar e prevenção de contaminação o tornam a escolha ideal para o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade em chips de wafer. Sua customização e custo-benefício o tornam um produto altamente competitivo no mercado.

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Descrição do produto

Nosso susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial LPE é um produto confiável e de alta qualidade que oferece excelente custo-benefício. Sua resistência à oxidação em alta temperatura, perfil térmico uniforme e prevenção de contaminação o tornam a escolha ideal para o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade em chips de wafer. Seus baixos requisitos de manutenção e personalização o tornam um produto altamente competitivo no mercado.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial LPE.

Parâmetros do susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial de LPE

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades do SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial de LPE

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.

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