Susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial

O Susceptor de Barril Revestido de SiC Semicorex para Crescimento Epitaxial é a escolha perfeita para a formação de camada epixial em wafers semicondutores, graças à sua excelente condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor. Seu revestimento de carboneto de silício oferece proteção superior até mesmo nos ambientes corrosivos e de alta temperatura mais exigentes.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso Susceptor de Barril Revestido com SiC para Crescimento Epitaxial tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de qualidade consistente e atendimento ao cliente excepcional.

Parâmetros do Susceptor de Barril Revestido de SiC para Crescimento Epitaxial

Características do Susceptor de Barril Revestido com SiC para Crescimento Epitaxial

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.