Susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial

O susceptor de barril revestido de SiC Semicorex para crescimento epitaxial é a escolha perfeita para a formação de camada epixial em pastilhas semicondutoras, graças à sua excelente condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor. Seu revestimento de carboneto de silício oferece proteção superior mesmo nos ambientes corrosivos e de alta temperatura mais exigentes.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de qualidade consistente e atendimento excepcional ao cliente.

Parâmetros do susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial

Características do susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.