Você pode ter a certeza de comprar transportador de wafer semicondutor para equipamentos MOCVD de nossa fábrica. Os portadores de wafer semicondutores são um componente essencial do equipamento MOCVD. Eles são usados para transportar e proteger wafers semicondutores durante o processo de fabricação. Os transportadores de wafer semicondutores para equipamentos MOCVD são feitos de materiais de alta pureza e são projetados para manter a integridade dos wafers durante o processamento.
nosso transportador de wafer semicondutor para equipamentos MOCVD é um componente essencial do processo de fabricação de semicondutores. É feito de grafite de alta pureza com revestimento de carboneto de silício pelo método CVD e é projetado para acomodar vários wafers. A transportadora oferece vários benefícios, incluindo melhor rendimento, maior produtividade, redução de contaminação, maior segurança e economia. Se você está procurando um transportador de wafer semicondutor confiável e de alta qualidade para equipamentos MOCVD, nosso produto é a solução perfeita.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso transportador de wafer semicondutor para equipamentos MOCVD.
Parâmetros do transportador de wafer semicondutor para equipamento MOCVD
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Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
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Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
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Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
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Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
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Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
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Pureza Química |
% |
99.99995 |
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Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
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Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
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Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
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Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
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Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
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Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD
-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas





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Susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD
Susceptor MOCVD revestido de SiC
Susceptor MOCVD para crescimento epitaxial
Placa de disco estrela de cobertura MOCVD para Wafer Epitaxy
Plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC