Disco planetário Semicorex, susceptor ou transportador de wafer de grafite revestido com carboneto de silício projetado para processos de epitaxia por feixe molecular (MBE) em fornos de deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD). A Semicorex está comprometida em fornecer produtos de qualidade a preços competitivos. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.
Disco Planetário, um revolucionário transportador e susceptor de wafer projetado para processos de Epitaxia de Feixe Molecular (MBE) em fornos de Deposição de Vapor Químico Metal-Orgânico (MOCVD). Fabricado com materiais de alta qualidade, o disco planetário foi projetado para elevar a fabricação de semicondutores a novos patamares.
O disco planetário é meticulosamente fabricado em grafite revestido com CVD SiC, garantindo excepcional estabilidade térmica, alta pureza e resistência a temperaturas extremas. Esta composição avançada de material garante desempenho superior e longevidade em ambientes MOCVD exigentes.
O revestimento CVD SiC no substrato de grafite aumenta a condutividade térmica, promovendo uma transferência de calor eficiente durante o processo MOCVD. Esse recurso não apenas garante perfis de temperatura consistentes em todo o wafer, mas também contribui para reduzir o estresse térmico e melhorar o rendimento geral.
O disco planetário é customizado e é compatível com uma ampla variedade de tamanhos de wafer semicondutor, tornando-o uma solução versátil para diversos requisitos de produção. Construído para suportar as rigorosas demandas dos fornos MOCVD, o Disco Planetário apresenta durabilidade e confiabilidade excepcionais. Sua construção robusta garante desempenho duradouro, reduzindo o tempo de inatividade e os custos de manutenção associados aos transportadores e susceptores de wafer.



Susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD
Susceptor MOCVD revestido de SiC
Susceptor MOCVD para crescimento epitaxial
Placa de disco estrela de cobertura MOCVD para Wafer Epitaxy
Plataforma de satélite de grafite MOCVD revestida com SiC