Placa de suporte de satélite MOCVD

A placa de suporte de satélite Semicorex MOCVD é uma excelente transportadora projetada para uso na indústria de semicondutores. Sua alta pureza, excelente resistência à corrosão e até perfil térmico o tornam uma excelente escolha para quem procura um suporte que possa suportar as demandas do processo de fabricação de semicondutores. Estamos empenhados em fornecer aos nossos clientes produtos de alta qualidade que atendam às suas necessidades específicas. Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nossa placa de suporte de satélite MOCVD e como podemos ajudá-lo com suas necessidades de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

A placa de suporte de satélite Semicorex MOCVD é um suporte de alta qualidade projetado para uso na indústria de semicondutores. Nosso produto é revestido com carboneto de silício de alta pureza sobre grafite, tornando-o altamente resistente à oxidação em altas temperaturas de até 1600°C. O processo de deposição de vapor químico CVD usado em sua fabricação garante alta pureza e excelente resistência à corrosão, tornando-o ideal para uso em ambientes de sala limpa.
As características da nossa placa de suporte de satélite MOCVD são impressionantes. Sua superfície densa e partículas finas aumentam sua resistência à corrosão, tornando-o resistente a ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos. Este portador é altamente estável, mesmo em ambientes extremos, tornando-se uma excelente escolha para quem procura um portador que possa suportar as demandas da indústria de semicondutores.

Parâmetros da placa de suporte de satélite MOCVD

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor de grafite revestido com SiC para MOCVD

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas