Placa de suporte de satélite MOCVD

A placa de suporte de satélite Semicorex MOCVD é um excelente suporte projetado para uso na indústria de semicondutores. Sua alta pureza, excelente resistência à corrosão e até mesmo perfil térmico o tornam uma excelente escolha para quem procura um transportador que possa suportar as demandas do processo de fabricação de semicondutores. Temos o compromisso de fornecer aos nossos clientes produtos de alta qualidade que atendam às suas necessidades específicas. Contate-nos hoje para saber mais sobre nossa placa de suporte de satélite MOCVD e como podemos ajudá-lo com suas necessidades de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

A placa de suporte de satélite Semicorex MOCVD é um suporte de alta qualidade projetado para uso na indústria de semicondutores. Nosso produto é revestido com carboneto de silício de alta pureza sobre grafite, tornando-o altamente resistente à oxidação em altas temperaturas de até 1600°C. O processo de deposição química de vapor CVD utilizado em sua fabricação garante alta pureza e excelente resistência à corrosão, tornando-o ideal para uso em ambientes de salas limpas.
As características da nossa placa de suporte de satélite MOCVD são impressionantes. Sua superfície densa e partículas finas aumentam sua resistência à corrosão, tornando-o resistente a ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos. Este portador é altamente estável, mesmo em ambientes extremos, tornando-o uma excelente escolha para quem procura um portador que possa suportar as demandas da indústria de semicondutores.

Parâmetros da placa de suporte de satélite MOCVD

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas