MOCVD Planet Susceptor para semicondutores

Semicorex é um nome confiável na indústria de semicondutores, fornecendo alta qualidade MOCVD Planet Susceptor for Semiconductor. Nosso produto é projetado para atender às necessidades específicas dos fabricantes de semicondutores que procuram um suporte que possa oferecer excelente desempenho, estabilidade e durabilidade. Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso produto e como podemos ajudá-lo com suas necessidades de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

Nosso Susceptor Planetário MOCVD para Semicondutor apresenta resistência à oxidação em altas temperaturas, garantindo sua estabilidade em altas temperaturas de até 1600°C. Também é altamente puro, feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura, garantindo a uniformidade e consistência do produto, mesmo perfil térmico e padrão de fluxo de gás laminar.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso susceptor de planeta MOCVD para semicondutores.

Parâmetros do MOCVD Planet Susceptor para Semicondutores

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor de grafite revestido com SiC para MOCVD

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas