Semicorex é um nome confiável na indústria de semicondutores, fornecendo MOCVD Planet Susceptor para semicondutores de alta qualidade. Nosso produto foi projetado para atender às necessidades específicas dos fabricantes de semicondutores que buscam um transportador que possa oferecer excelente desempenho, estabilidade e durabilidade. Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso produto e como podemos ajudá-lo com suas necessidades de fabricação de semicondutores.
Nosso susceptor planetário MOCVD para semicondutores apresenta resistência à oxidação em altas temperaturas, garantindo sua estabilidade em altas temperaturas de até 1600°C. Também é altamente puro, obtido por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração em alta temperatura, garantindo a uniformidade e consistência do produto, perfil térmico uniforme e padrão de fluxo de gás laminar.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso susceptor planetário MOCVD para semicondutores.
Parâmetros do Susceptor Planetário MOCVD para Semicondutores
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
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Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do susceptor de grafite revestido de SiC para MOCVD
-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir uniformidade do perfil térmico
- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas