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Susceptor de barril de LPE com revestimento de SiC

Susceptor de barril de LPE com revestimento de SiC

Se você está procurando um susceptor de grafite de alta qualidade revestido com SiC de alta pureza, o susceptor de barril Semicorex LPE com revestimento de SiC é a escolha perfeita. Sua excepcional condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor o tornam ideal para uso em aplicações de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

O susceptor de barril Semicorex LPE com revestimento de SiC é um produto de grafite de qualidade premium revestido com SiC de alta pureza, tornando-o a escolha ideal para uso em ambientes corrosivos e de alta temperatura. Sua excelente densidade e condutividade térmica fornecem proteção e distribuição de calor excepcionais em aplicações de fabricação de semicondutores.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso susceptor de barril de LPE com revestimento de SiC tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de qualidade consistente e atendimento excepcional ao cliente.


Parâmetros do susceptor de barril de LPE com revestimento de SiC

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura de cristal

FCC fase β

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho de grão

¼m

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (RT 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (dobra de 4pt, 1300â)

430

Expansão Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do susceptor de barril de LPE com revestimento de SiC

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.




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