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Susceptor de barril com revestimento de SiC em semicondutor

Susceptor de barril com revestimento de SiC em semicondutor

Se você está procurando um susceptor de grafite de alta qualidade revestido com SiC de alta pureza, o Susceptor de Barril Semicorex com Revestimento de SiC em Semicondutor é a escolha perfeita. Sua excepcional condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor o tornam ideal para uso em aplicações de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

O Susceptor de Barril Semicorex com Revestimento de SiC em Semicondutor é um produto de grafite de qualidade premium revestido com SiC de alta pureza, tornando-o a escolha ideal para uso em ambientes corrosivos e de alta temperatura. Sua excelente densidade e condutividade térmica proporcionam excepcional distribuição de calor e proteção em aplicações de fabricação de semicondutores.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso susceptor de barril com revestimento de SiC em semicondutor tem uma vantagem de preço e é exportado para diversos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de qualidade consistente e atendimento ao cliente excepcional.


Parâmetros do susceptor de barril com revestimento de SiC em semicondutores

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do Susceptor de Barril com Revestimento SiC em Semicondutor

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.




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