Se você está procurando um susceptor de grafite de alta qualidade revestido com SiC de alta pureza, o Susceptor de Barril Semicorex com Revestimento de SiC em Semicondutor é a escolha perfeita. Sua excepcional condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor o tornam ideal para uso em aplicações de fabricação de semicondutores.
O Susceptor de Barril Semicorex com Revestimento de SiC em Semicondutor é um produto de grafite de qualidade premium revestido com SiC de alta pureza, tornando-o a escolha ideal para uso em ambientes corrosivos e de alta temperatura. Sua excelente densidade e condutividade térmica proporcionam excepcional distribuição de calor e proteção em aplicações de fabricação de semicondutores.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso susceptor de barril com revestimento de SiC em semicondutor tem uma vantagem de preço e é exportado para diversos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de qualidade consistente e atendimento ao cliente excepcional.
Parâmetros do susceptor de barril com revestimento de SiC em semicondutores
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
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Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do Susceptor de Barril com Revestimento SiC em Semicondutor
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.
- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.
- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.