Sistema de Reator de Epitaxia de Fase Líquida (LPE)

O Sistema de Reator de Epitaxia de Fase Líquida (LPE) Semicorex é um produto inovador que oferece excelente desempenho térmico, perfil térmico uniforme e adesão de revestimento superior. Sua alta pureza, resistência à oxidação em alta temperatura e resistência à corrosão o tornam a escolha ideal para uso na indústria de semicondutores. Suas opções customizáveis e custo-benefício o tornam um produto altamente competitivo no mercado.

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Descrição do produto

Nosso Sistema de Reator de Epitaxia em Fase Líquida (LPE) é um produto altamente confiável e durável que oferece excelente custo-benefício. Sua resistência à oxidação em alta temperatura, perfil térmico uniforme e prevenção de contaminação o tornam ideal para crescimento de camada epitaxial de alta qualidade. Seus baixos requisitos de manutenção e personalização o tornam um produto altamente competitivo no mercado.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso Sistema de Reator de Epitaxia em Fase Líquida (LPE) tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de qualidade consistente e atendimento excepcional ao cliente.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso sistema de reator de epitaxia de fase líquida (LPE).

Parâmetros do Sistema Reator de Epitaxia de Fase Líquida (LPE)

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades do SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do sistema de reator de epitaxia de fase líquida (LPE)

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.