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Sistema Epi Barril Aquecido Indutivamente para Epitaxia LPE

Sistema Epi Barril Aquecido Indutivamente para Epitaxia LPE

Se você precisa de um susceptor de grafite com condutividade térmica excepcional e propriedades de distribuição de calor, não procure mais do que o sistema Epi de barril aquecido indutivamente Semicorex para epitaxia LPE. Seu revestimento de SiC de alta pureza oferece proteção superior em ambientes corrosivos e de alta temperatura, tornando-o a escolha ideal para uso em aplicações de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

O sistema Epi de barril aquecido indutivamente Semicorex para LPE Epitaxy é a escolha perfeita para aplicações de fabricação de semicondutores que exigem distribuição de calor e condutividade térmica excepcionais. Seu revestimento de SiC de alta pureza e densidade superior fornecem proteção superior e propriedades de distribuição de calor, garantindo desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes mais desafiadores.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso Sistema Epi de barril aquecido indutivamente para LPE Epitaxy tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de qualidade consistente e atendimento excepcional ao cliente.


Parâmetros do Sistema Epi de Barril Aquecido Indutivamente para Epitaxia LPE

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades do SiC-CVD

Estrutura de cristal

FCC fase β

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho de grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (RT 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (dobra de 4pt, 1300â)

430

Expansão Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do Sistema Epi Barrel Aquecido Indutivamente para Epitaxia LPE

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.




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