Sistema Epi de Barril Aquecido Indutivamente

Se você precisa de um susceptor de grafite com condutividade térmica excepcional e propriedades de distribuição de calor, não procure além do Sistema Epi de Barril Aquecido Indutivamente Semicorex. Seu revestimento de SiC de alta pureza oferece proteção superior em ambientes corrosivos e de alta temperatura, tornando-o a escolha ideal para uso em aplicações de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

O sistema Epi de barril com aquecimento indutivo Semicorex é a escolha perfeita para aplicações de fabricação de semicondutores que exigem distribuição de calor e condutividade térmica excepcionais. Seu revestimento de SiC de alta pureza e densidade superior proporcionam proteção superior e propriedades de distribuição de calor, garantindo desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes mais desafiadores.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso sistema Epi de barril com aquecimento indutivo tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de qualidade consistente e atendimento ao cliente excepcional.

Parâmetros do sistema Epi de barril aquecido indutivamente

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do sistema Epi de barril aquecido indutivamente

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.