O susceptor revestido de carboneto de silício da Semicorex para plasma indutivamente acoplado (ICP) foi projetado especificamente para processos de manuseio de wafer de alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Com uma resistência estável à oxidação em alta temperatura de até 1600°C, nossos carreadores garantem perfis térmicos uniformes, padrões de fluxo de gás laminar e evitam contaminação ou difusão de impurezas.
Precisa de um transportador de wafer que possa lidar com ambientes químicos agressivos e de alta temperatura? Não procure mais do que o susceptor revestido de carboneto de silício da Semicorex para Plasma Indutivamente Acoplado (ICP). Nossos transportadores apresentam um fino revestimento de cristal de SiC que oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso susceptor SiC para Plasma Indutivamente Acoplado (ICP).
Parâmetros do susceptor para Plasma Indutivamente Acoplado (ICP)
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
||
Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
¼m |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do susceptor revestido de carboneto de silício para plasma indutivamente acoplado (ICP)
- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas