Plasma Acoplado Indutivamente (ICP)

O susceptor revestido de carboneto de silício da Semicorex para plasma indutivamente acoplado (ICP) foi projetado especificamente para processos de manuseio de wafer em alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Com uma resistência estável à oxidação em altas temperaturas de até 1.600°C, nossos transportadores garantem perfis térmicos uniformes, padrões de fluxo de gás laminar e evitam contaminação ou difusão de impurezas.

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Descrição do produto

Precisa de um transportador de wafer que possa lidar com ambientes químicos agressivos e de alta temperatura? Não procure mais, o susceptor revestido de carboneto de silício da Semicorex para Plasma Acoplado Indutivamente (ICP). Nossos transportadores apresentam um fino revestimento de cristal SiC que oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso susceptor de SiC para plasma indutivamente acoplado (ICP).

Parâmetros do susceptor para Plasma Acoplado Indutivamente (ICP)

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300