Sistema de Gravação por Plasma ICP

Obtenha os processos de epitaxia e MOCVD da mais alta qualidade com o suporte revestido de SiC da Semicorex para o sistema de gravação por plasma ICP. Nosso produto é projetado especificamente para esses processos, oferecendo resistência superior ao calor e à corrosão. Nosso fino revestimento de cristal SiC fornece uma superfície limpa e lisa, permitindo o manuseio ideal dos wafers.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso suporte revestido de SiC para o sistema de gravação por plasma ICP.

Parâmetros do suporte revestido de SiC para o sistema de gravação por plasma ICP

Características do suporte revestido de SiC para o sistema de gravação por plasma ICP

-Evite descascar e garantir o revestimento em toda a superfície

Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C

Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.

Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.

Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar

- Garantir a uniformidade do perfil térmico

- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas