Sistema de gravação de plasma ICP

O transportador revestido com SiC da Semicorex para sistema de gravação de plasma ICP é uma solução confiável e econômica para processos de manuseio de wafer em alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Nossos transportadores apresentam um fino revestimento de cristal SiC que oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável.

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Descrição do produto

Obtenha processos de epitaxia e MOCVD da mais alta qualidade com o transportador revestido de SiC da Semicorex para sistema de gravação por plasma ICP. Nosso produto é projetado especificamente para esses processos, oferecendo resistência superior ao calor e à corrosão. Nosso fino revestimento de cristal SiC fornece uma superfície limpa e lisa, permitindo o manuseio ideal dos wafers.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso transportador revestido de SiC para sistema de gravação por plasma ICP.

Parâmetros do transportador revestido de SiC para sistema de gravação de plasma ICP

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300