Suporte para wafer de gravação ICP

O suporte de wafer de gravação ICP da Semicorex é a solução perfeita para processos de manuseio de wafer de alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Com uma resistência estável à oxidação em alta temperatura de até 1600°C, nossos carreadores garantem perfis térmicos uniformes, padrões de fluxo de gás laminar e evitam contaminação ou difusão de impurezas.

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Descrição do produto

Procurando um fornecedor confiável de transportadores de wafer para seu equipamento de epitaxia? Não procure mais do que Semicorex. Nosso suporte de wafer de gravação ICP foi projetado especificamente para ambientes de limpeza química agressivos e de alta temperatura. Com um fino revestimento de cristal de SiC, nossos transportadores oferecem resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável.
Nosso suporte de wafer de gravação ICP foi projetado para obter o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso suporte para wafer de gravação ICP.

Parâmetros do suporte de wafer de gravação ICP

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300