Suporte de wafer de gravação ICP

O suporte de wafer de gravação ICP da Semicorex é a solução perfeita para processos de manuseio de wafer em alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Com uma resistência estável à oxidação em altas temperaturas de até 1.600°C, nossos transportadores garantem perfis térmicos uniformes, padrões de fluxo de gás laminar e evitam contaminação ou difusão de impurezas.

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Descrição do produto

Procurando um fornecedor confiável de transportadores de wafer para seu equipamento de epitaxia? Não procure mais, Semicorex. Nosso suporte de wafer de gravação ICP é projetado especificamente para ambientes de limpeza química agressivos e de alta temperatura. Com um fino revestimento de cristal SiC, nossos transportadores oferecem resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável.
Nosso suporte para wafer de gravação ICP foi projetado para obter o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso suporte para wafer de gravação ICP.

Parâmetros do suporte para wafer de gravação ICP

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300