Lar > Produtos > Carboneto de Silício Revestido > Portador de Gravação ICP > Revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma
Revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma

Revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma

Quando se trata de processos de manuseio de wafer, como epitaxia e MOCVD, o revestimento SiC de alta temperatura da Semicorex para câmaras de gravação a plasma é a melhor escolha. Nossos transportadores oferecem resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável graças ao nosso fino revestimento de cristal SiC.

Enviar consulta

Descrição do produto

Na Semicorex, entendemos a importância de equipamentos de manuseio de wafer de alta qualidade. É por isso que nosso revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma é projetado especificamente para ambientes de limpeza química agressivos e de alta temperatura. Nossos transportadores fornecem perfis térmicos uniformes, padrões de fluxo de gás laminar e evitam contaminação ou difusão de impurezas.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma.


Parâmetros de revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura de cristal

FCC fase β

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho de grão

¼m

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (RT 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (dobra de 4pt, 1300â)

430

Expansão Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície

Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C

Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.

Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.

Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar

- Garantir a uniformidade do perfil térmico

- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas





Hot Tags: Revestimento SiC de alta temperatura para câmaras de plasma Etch, China, fabricantes, fornecedores, fábrica, personalizado, a granel, avançado, durável

Categoria Relacionada

Enviar consulta

Por favor, sinta-se livre para dar o seu inquérito no formulário abaixo. Responderemos em 24 horas.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept