Quando se trata de processos de manuseio de wafer, como epitaxia e MOCVD, o revestimento SiC de alta temperatura da Semicorex para câmaras de gravação a plasma é a melhor escolha. Nossos transportadores oferecem resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável graças ao nosso fino revestimento de cristal SiC.
Na Semicorex, entendemos a importância de equipamentos de manuseio de wafer de alta qualidade. É por isso que nosso revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma é projetado especificamente para ambientes de limpeza química agressivos e de alta temperatura. Nossos transportadores fornecem perfis térmicos uniformes, padrões de fluxo de gás laminar e evitam contaminação ou difusão de impurezas.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma.
Parâmetros de revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
||
Propriedades SiC-CVD |
||
Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
¼m |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do revestimento de SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma
- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície
Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C
Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.
Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.
Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.
- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar
- Garantir a uniformidade do perfil térmico
- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas