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Susceptor de barril revestido com SiC de alta temperatura

Susceptor de barril revestido com SiC de alta temperatura

Quando se trata de fabricação de semicondutores, o Susceptor de Barril Revestido com SiC de Alta Temperatura Semicorex é a melhor escolha para desempenho e confiabilidade superiores. Seu revestimento de SiC de alta qualidade e excepcional condutividade térmica o tornam ideal para uso mesmo nos ambientes corrosivos e de alta temperatura mais exigentes.

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Descrição do produto

O susceptor de barril revestido com SiC de alta temperatura Semicorex é a escolha perfeita para crescimento de cristal único e outras aplicações de fabricação de semicondutores que exigem alta resistência ao calor e à corrosão. Seu revestimento de carboneto de silício oferece proteção superior e propriedades de distribuição de calor, garantindo desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes mais desafiadores.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer susceptor de barril revestido de SiC de alta qualidade e econômico, de alta temperatura, priorizamos a satisfação do cliente e fornecemos soluções econômicas. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de alta qualidade e atendimento ao cliente excepcional.


Parâmetros do susceptor de barril revestido com SiC de alta temperatura

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do susceptor de barril revestido com SiC de alta temperatura

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.




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