Quando se trata de fabricação de semicondutores, o Susceptor de Barril Revestido com SiC de Alta Temperatura Semicorex é a melhor escolha para desempenho e confiabilidade superiores. Seu revestimento de SiC de alta qualidade e excepcional condutividade térmica o tornam ideal para uso mesmo nos ambientes corrosivos e de alta temperatura mais exigentes.
O susceptor de barril revestido com SiC de alta temperatura Semicorex é a escolha perfeita para crescimento de cristal único e outras aplicações de fabricação de semicondutores que exigem alta resistência ao calor e à corrosão. Seu revestimento de carboneto de silício oferece proteção superior e propriedades de distribuição de calor, garantindo desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes mais desafiadores.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer susceptor de barril revestido de SiC de alta qualidade e econômico, de alta temperatura, priorizamos a satisfação do cliente e fornecemos soluções econômicas. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de alta qualidade e atendimento ao cliente excepcional.
Parâmetros do susceptor de barril revestido com SiC de alta temperatura
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
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Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
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Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do susceptor de barril revestido com SiC de alta temperatura
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.
- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.
- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.
- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.