Susceptor de barril revestido de SiC durável para LPE

Com sua excelente densidade e condutividade térmica, o Susceptor de Barril Revestido de SiC Durável Semicorex para LPE é a escolha ideal para uso em processos de LPE e outras aplicações de fabricação de semicondutores. Seu revestimento de SiC de alta pureza oferece proteção superior e propriedades de distribuição de calor, tornando-o a escolha certa para resultados confiáveis e consistentes.

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Descrição do produto

Se você precisa de um susceptor de grafite de alta qualidade com resistência superior ao calor e à corrosão, não procure mais do que o susceptor de barril revestido de SiC durável Semicorex para LPE. Seu revestimento de carboneto de silício fornece condutividade térmica e distribuição de calor excepcionais, garantindo desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes de alta temperatura mais exigentes.

Nosso susceptor de barril revestido de SiC durável para LPE foi projetado para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso susceptor de barril revestido de SiC durável para LPE.

Parâmetros do susceptor de barril revestido de SiC durável para LPE

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do susceptor de barril revestido de SiC durável para LPE

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.

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