Susceptor de barril revestido com SiC durável

Com sua excelente densidade e condutividade térmica, o Susceptor de Barril Revestido com SiC Durável Semicorex é a escolha ideal para uso em processos epitaxiais e outras aplicações de fabricação de semicondutores. Seu revestimento de SiC de alta pureza oferece proteção superior e propriedades de distribuição de calor, tornando-o a escolha certa para resultados confiáveis e consistentes.

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Descrição do produto

Se você precisa de um susceptor de grafite de alta qualidade com resistência superior ao calor e à corrosão, não procure além do susceptor de barril revestido com SiC durável Semicorex. Seu revestimento de carboneto de silício fornece condutividade térmica e distribuição de calor excepcionais, garantindo desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes mais exigentes de alta temperatura.
Nosso susceptor de barril revestido com SiC durável foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso Susceptor de Barril Revestido com SiC Durável.

Parâmetros do Susceptor de Barril Revestido com SiC Durável

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do Susceptor de Barril Revestido com SiC Durável

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.