Susceptor de barril revestido de CVD SiC

O Susceptor de Barril Revestido de SiC Semicorex CVD é um componente meticulosamente projetado, adaptado para processos avançados de fabricação de semicondutores, particularmente epitaxia. Construído com precisão e inovação, este susceptor de barril revestido de SiC CVD foi projetado para facilitar o crescimento epitaxial de materiais semicondutores em wafers com eficiência e confiabilidade incomparáveis.

No núcleo do Susceptor de Barril Revestido com SiC CVD encontra-se uma estrutura robusta de grafite, conhecida por sua excepcional condutividade térmica e resistência mecânica. Esta base de grafite serve como uma base robusta para o susceptor, garantindo estabilidade e longevidade sob as condições exigentes dos reatores epitaxiais.

Aprimorando o substrato de grafite está um revestimento de ponta de carboneto de silício (SiC) de Deposição Química de Vapor (CVD). Este revestimento especializado de SiC é meticulosamente aplicado através de um processo de deposição química de vapor, resultando em uma camada uniforme e durável que cobre a superfície do grafite. O revestimento CVD SiC do Susceptor de Barril Revestido CVD SiC apresenta uma infinidade de vantagens críticas para processos epitaxiais.

O revestimento CVD SiC do Susceptor de Barril Revestido CVD SiC exibe propriedades térmicas excepcionais, incluindo alta condutividade térmica e estabilidade térmica. Essas propriedades são fundamentais para garantir o aquecimento uniforme e preciso dos wafers semicondutores durante o crescimento epitaxial, promovendo assim a deposição consistente da camada e minimizando os defeitos no produto final.

O design em forma de barril do susceptor de barril revestido de SiC CVD é otimizado para carregamento e descarregamento eficiente de wafer, bem como distribuição ideal de calor em toda a superfície do wafer. Esse recurso de design, juntamente com o desempenho superior do revestimento CVD SiC, garante controle de processo e rendimento incomparáveis ​​em operações de fabricação epitaxial.