Deposição Epitaxial CVD em Reator Barril

Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor é um produto altamente durável e confiável para o crescimento de camadas epixiais em chips de wafer. Sua resistência à oxidação em alta temperatura e alta pureza o tornam adequado para uso na indústria de semicondutores. Seu perfil térmico uniforme, padrão de fluxo de gás laminar e prevenção de contaminação o tornam a escolha ideal para crescimento de camada epixial de alta qualidade.

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Descrição do produto

Nosso reator CVD de deposição epitaxial em barril é um produto de alto desempenho projetado para oferecer desempenho confiável em ambientes extremos. Sua adesão de revestimento superior, resistência à oxidação em alta temperatura e resistência à corrosão o tornam uma excelente escolha para uso em ambientes agressivos. Além disso, seu perfil térmico uniforme, padrão de fluxo de gás laminar e prevenção de contaminação garantem a alta qualidade da camada epixial.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso reator de deposição epitaxial CVD em barril tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de qualidade consistente e atendimento excepcional ao cliente.

Parâmetros de Deposição Epitaxial CVD em Reator Barril

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades do SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características da Deposição Epitaxial CVD em Reator Barril

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.