Deposição epitaxial de CVD em reator de barril

Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor é um produto altamente durável e confiável para o crescimento de camadas epixiais em chips de wafer. Sua resistência à oxidação em alta temperatura e alta pureza o tornam adequado para uso na indústria de semicondutores. Seu perfil térmico uniforme, padrão de fluxo de gás laminar e prevenção de contaminação fazem dele a escolha ideal para crescimento de camada epixial de alta qualidade.

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Descrição do produto

Nosso reator de deposição epitaxial CVD em barril é um produto de alto desempenho projetado para oferecer desempenho confiável em ambientes extremos. Sua adesão de revestimento superior, resistência à oxidação em alta temperatura e resistência à corrosão o tornam uma excelente escolha para uso em ambientes agressivos. Além disso, seu perfil térmico uniforme, padrão de fluxo de gás laminar e prevenção de contaminação garantem a alta qualidade da camada epixial.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso reator de deposição epitaxial CVD em barril tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de qualidade consistente e atendimento ao cliente excepcional.

Parâmetros de deposição epitaxial de CVD em reator de barril

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características da deposição epitaxial de CVD no reator de barril

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.