Susceptor de barril para epitaxia de fase líquida

Se você precisa de um susceptor de grafite que possa funcionar de maneira confiável e consistente até mesmo nos ambientes corrosivos e de alta temperatura mais exigentes, o susceptor de barril Semicorex para epitaxia de fase líquida é a escolha perfeita. Seu revestimento de carboneto de silício oferece excelente condutividade térmica e distribuição de calor, garantindo desempenho excepcional em aplicações de fabricação de semicondutores.

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Descrição do produto

O susceptor de barril Semicorex para epitaxia de fase líquida é a escolha certa para aplicações de fabricação de semicondutores que exigem alta resistência ao calor e à corrosão. Seu revestimento de SiC de alta pureza e condutividade térmica excepcional proporcionam proteção superior e propriedades de distribuição de calor, garantindo desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes mais desafiadores.

Nosso Susceptor de Barril para Epitaxia de Fase Líquida foi projetado para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso Susceptor de Barril para Epitaxia de Fase Líquida.

Parâmetros do Susceptor de Barril para Epitaxia de Fase Líquida

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do Susceptor de Barril para Epitaxia de Fase Líquida

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.