Barrel Susceptor Epi System para LPE Epitaxy

Sistema Epi Susceptor Barrel Semicorex para LPE Epitaxy é um produto de alta qualidade que oferece adesão de revestimento superior, alta pureza e resistência à oxidação em alta temperatura. Seu perfil térmico uniforme, padrão de fluxo de gás laminar e prevenção de contaminação o tornam a escolha ideal para o crescimento de camadas epixiais em chips de wafer. Sua relação custo-benefício e customização o tornam um produto altamente competitivo no mercado.

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Descrição do produto

Nosso Barrel Susceptor Epi System para LPE Epitaxy é um produto altamente inovador que oferece excelente desempenho térmico, perfil térmico uniforme e adesão de revestimento superior. Sua alta pureza, resistência à oxidação em alta temperatura e resistência à corrosão o tornam um produto altamente confiável para uso na indústria de semicondutores. Sua prevenção de contaminação e impurezas e baixa necessidade de manutenção o tornam um produto altamente competitivo no mercado.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso Barrel Susceptor Epi System para LPE Epitaxy tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de qualidade consistente e atendimento excepcional ao cliente.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso sistema Epi Barrel Susceptor para epitaxia LPE.

Parâmetros do Barrel Susceptor Epi System para LPE Epitaxy

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	FCC fase β
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	Î¼m	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (dobra de 4pt, 1300â)	430
Expansão Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do Barrel Susceptor Epi System para LPE Epitaxy

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.