Sistema Epi receptor de barril

Semicorex Barrel Susceptor Epi System é um produto de alta qualidade que oferece adesão de revestimento superior, alta pureza e resistência à oxidação em alta temperatura. Seu perfil térmico uniforme, padrão de fluxo de gás laminar e prevenção de contaminação fazem dele a escolha ideal para o crescimento de camadas epixiais em chips de wafer. Seu custo-benefício e customização o tornam um produto altamente competitivo no mercado.

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Descrição do produto

Nosso Barrel Susceptor Epi System é um produto altamente inovador que oferece excelente desempenho térmico, perfil térmico uniforme e adesão de revestimento superior. Sua alta pureza, resistência à oxidação em alta temperatura e resistência à corrosão o tornam um produto altamente confiável para uso na indústria de semicondutores. A sua prevenção de contaminações e impurezas e os baixos requisitos de manutenção tornam-no num produto altamente competitivo no mercado.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso Barrel Susceptor Epi System tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de qualidade consistente e atendimento ao cliente excepcional.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso sistema Barrel Susceptor Epi.

Parâmetros do Sistema Epi Susceptor de Barril

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Características do sistema Barrel Susceptor Epi

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.