Estrutura de Barril para Reator Epitaxial Semicondutor

A Estrutura Barril Semicorex para Reator Epitaxial Semicondutor é a escolha certa para aplicações de susceptor de grafite de alto desempenho que requerem resistência excepcional ao calor e à corrosão. Seu revestimento de SiC de alta pureza e densidade e condutividade térmica superiores fornecem proteção superior e propriedades de distribuição de calor, garantindo desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes mais desafiadores.

Nossa estrutura de barril para reator epitaxial semicondutor é projetada para alcançar o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo a uniformidade do perfil térmico. Isso ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nossa estrutura de barril para reator epitaxial semicondutor.

Parâmetros de Estrutura Barril para Reator Epitaxial Semicondutor

Características da estrutura de barril para reator epitaxial semicondutor

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel de proteção em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhore efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em alta temperatura, resistência à corrosão.