Estrutura de barril para reator epitaxial semicondutor

A estrutura de barril Semicorex para reator epitaxial semicondutor é a escolha certa para aplicações de susceptor de grafite de alto desempenho que exigem excepcional resistência ao calor e à corrosão. Seu revestimento de SiC de alta pureza e densidade e condutividade térmica superiores proporcionam proteção superior e propriedades de distribuição de calor, garantindo desempenho confiável e consistente mesmo nos ambientes mais desafiadores.

Nossa Estrutura de Barril para Reator Epitaxial Semicondutor foi projetada para atingir o melhor padrão de fluxo de gás laminar, garantindo uniformidade do perfil térmico. Isto ajuda a evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade no chip wafer.

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Parâmetros da estrutura do barril para reator epitaxial semicondutor

Características da estrutura do barril para reator epitaxial semicondutor

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício têm boa densidade e podem desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- O susceptor revestido de carboneto de silício usado para crescimento de cristal único tem um nivelamento de superfície muito alto.

- Reduza a diferença no coeficiente de expansão térmica entre o substrato de grafite e a camada de carboneto de silício, melhorando efetivamente a força de ligação para evitar rachaduras e delaminação.

- Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.