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Placa portadora de gravação PSS para semicondutores

Placa portadora de gravação PSS para semicondutores

A placa portadora de gravura PSS Semicorex para semicondutores é especialmente projetada para ambientes de limpeza química severa e de alta temperatura necessários para processos de crescimento epitaxial e manuseio de wafer. Nossa placa portadora de gravação PSS ultrapura para semicondutores foi projetada para suportar wafers durante as fases de deposição de filmes finos, como MOCVD e susceptores de epitaxia, panqueca ou plataformas de satélite. Nosso suporte revestido de SiC tem alta resistência ao calor e à corrosão, excelentes propriedades de distribuição de calor e alta condutividade térmica. Oferecemos soluções econômicas para nossos clientes e nossos produtos cobrem muitos mercados europeus e americanos. A Semicorex espera ser seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

A PSS Etching Carrier Plate para semicondutores da Semicorex é a solução ideal para fases de deposição de filmes finos como MOCVD, susceptores de epitaxia, plataformas de panqueca ou satélite e processamento de manipulação de wafer, como corrosão. Nosso suporte de grafite ultrapuro foi projetado para suportar wafers e suportar limpeza química severa e ambientes de alta temperatura. O suporte revestido de SiC tem alta resistência ao calor e à corrosão, excelentes propriedades de distribuição de calor e alta condutividade térmica. Nossos produtos são econômicos e têm uma boa vantagem de preço.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nossa placa de transporte PSS Etching para semicondutores.


Parâmetros da placa transportadora de gravação PSS para semicondutores

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura de cristal

FCC fase β

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho de grão

¼m

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (RT 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (dobra de 4pt, 1300â)

430

Expansão Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características da placa portadora de gravação PSS para semicondutores

- Evite descascar e assegure o revestimento em toda a superfície

Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C

Alta pureza: feito por deposição de vapor químico CVD sob condições de cloração de alta temperatura.

Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.

Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar

- Garantir a uniformidade do perfil térmico

- Prevenir qualquer contaminação ou difusão de impurezas





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