Placa transportadora de gravação PSS para semicondutores

A placa transportadora de gravação Semicorex PSS para semicondutores foi especialmente projetada para ambientes de limpeza química agressivos e de alta temperatura, necessários para crescimento epitaxial e processos de manuseio de wafer. Nossa placa transportadora de gravação PSS ultrapura para semicondutores foi projetada para suportar wafers durante fases de deposição de filme fino, como MOCVD e susceptores de epitaxia, panqueca ou plataformas de satélite. Nosso suporte revestido de SiC possui alta resistência ao calor e à corrosão, excelentes propriedades de distribuição de calor e alta condutividade térmica. Fornecemos soluções econômicas aos nossos clientes e nossos produtos cobrem muitos mercados europeus e americanos. A Semicorex espera ser seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

A placa transportadora de gravação PSS para semicondutores da Semicorex é a solução ideal para fases de deposição de filmes finos como MOCVD, susceptores de epitaxia, plataformas de panqueca ou satélite e processamento de manuseio de wafer, como gravação. Nosso suporte de grafite ultrapuro foi projetado para suportar wafers e resistir a limpezas químicas agressivas e ambientes de alta temperatura. O suporte revestido de SiC possui alta resistência ao calor e à corrosão, excelentes propriedades de distribuição de calor e alta condutividade térmica. Nossos produtos são econômicos e têm uma boa vantagem de preço.

Contate-nos hoje para saber mais sobre nossa placa transportadora de gravação PSS para semicondutores.

Parâmetros da placa transportadora de gravação PSS para semicondutores

Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Condutividade térmica	(W/mK)	300

Features of PSS Etching Carrier Plate for Semiconductor

-Evite descascar e garanta o revestimento em toda a superfície

Resistência à oxidação em altas temperaturas: Estável em altas temperaturas de até 1600°C

Alta pureza: feita por deposição química de vapor CVD sob condições de cloração de alta temperatura.

Resistência à corrosão: alta dureza, superfície densa e partículas finas.

Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.

- Obtenha o melhor padrão de fluxo de gás laminar

- Garantir uniformidade do perfil térmico

- Evitar qualquer contaminação ou difusão de impurezas

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