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Revestimento SiC de alta temperatura para câmaras de gravação de plasma

Revestimento SiC de alta temperatura para câmaras de gravação de plasma

Quando se trata de processos de manuseio de wafer, como epitaxia e MOCVD, o revestimento SiC de alta temperatura para câmaras de gravação a plasma da Semicorex é a melhor escolha. Nossos transportadores oferecem resistência superior ao calor, uniformidade térmica e resistência química durável graças ao nosso fino revestimento de cristal SiC.
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Placa SiC para Processo de Gravura ICP

Placa SiC para Processo de Gravura ICP

A placa SiC da Semicorex para processo de gravação ICP é a solução perfeita para requisitos de processamento químico severos e de alta temperatura na deposição de filmes finos e manuseio de wafers. Nosso produto possui resistência ao calor superior e até uniformidade térmica, garantindo espessura e resistência consistentes da camada epi. Com uma superfície limpa e lisa, nosso revestimento de cristal SiC de alta pureza proporciona um manuseio ideal para wafers imaculados.
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Transportador de gravação ICP revestido com SiC

Transportador de gravação ICP revestido com SiC

Transportador de gravação ICP revestido com SiC Semicorex projetado especificamente para equipamentos de epitaxia com alta resistência ao calor e à corrosão na China. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos mercados europeus e americanos. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.
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Porta-gravura PSS revestido com SiC

Porta-gravura PSS revestido com SiC

Os transportadores de wafer usados ​​no crescimento epixial e no processamento de manuseio de wafer devem suportar altas temperaturas e limpeza química severa. Transportador de gravação PSS revestido com SiC Semicorex projetado especificamente para essas exigentes aplicações de equipamentos de epitaxia. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos mercados europeus e americanos. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.
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Susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial de LPE

Susceptor de barril revestido de SiC para crescimento epitaxial de LPE

O susceptor de barril revestido de SiC Semicorex para crescimento epitaxial de LPE é um produto de alto desempenho projetado para fornecer desempenho consistente e confiável por um período prolongado. Seu perfil térmico uniforme, padrão de fluxo de gás laminar e prevenção de contaminação fazem dele a escolha ideal para o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade em chips de wafer. Sua customização e custo-benefício o tornam um produto altamente competitivo no mercado.
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Susceptor de barril de grafite revestido de SiC

Susceptor de barril de grafite revestido de SiC

Se você está procurando um susceptor de grafite de alto desempenho para uso em aplicações de fabricação de semicondutores, o susceptor de barril de grafite revestido com SiC Semicorex é a escolha ideal. Sua excepcional condutividade térmica e propriedades de distribuição de calor o tornam a escolha ideal para desempenho confiável e consistente em ambientes corrosivos e de alta temperatura.
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