O Campo Térmico de Grafite Semicorex combina ciência de materiais de ponta com um profundo conhecimento dos processos de crescimento de cristais, oferecendo uma solução inovadora que capacita a indústria de semicondutores a alcançar novos níveis de desempenho, eficiência e economia.**
consulte Mais informaçãoEnviar consultaSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon é um ativo indispensável no mundo da epitaxia, fornecendo uma solução robusta para os desafios impostos por altas temperaturas, gases reativos e rigorosos requisitos de pureza.**
consulte Mais informaçãoEnviar consultaA cobertura de revestimento Semicorex CVD TaC tem se tornado uma tecnologia crítica em ambientes exigentes dentro de reatores epitaxiais, caracterizados por altas temperaturas, gases reativos e requisitos rigorosos de pureza, que exigem materiais robustos para garantir o crescimento consistente de cristais e evitar reações indesejadas.**
consulte Mais informaçãoEnviar consultaAs ferramentas de extração de silício único de grafite Semicorex surgem como heróis anônimos no cadinho ardente dos fornos de crescimento de cristal, onde as temperaturas aumentam e a precisão reina suprema. Suas propriedades notáveis, aprimoradas por meio de fabricação inovadora, os tornam essenciais para a existência de silício monocristalino impecável.**
consulte Mais informaçãoEnviar consultaO anel guia de revestimento Semicorex TaC serve como uma parte fundamental dentro do equipamento de deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD), garantindo a entrega precisa e estável de gases precursores durante o processo de crescimento epitaxial. O anel guia de revestimento TaC representa uma série de propriedades que o tornam ideal para suportar as condições extremas encontradas na câmara do reator MOCVD.**
consulte Mais informaçãoEnviar consultaO compromisso da Semicorex com a qualidade e inovação é evidente no segmento de cobertura SiC MOCVD. Ao permitir epitaxia de SiC confiável, eficiente e de alta qualidade, ele desempenha um papel vital no avanço dos recursos dos dispositivos semicondutores de próxima geração.**
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