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Notícias da indústria
Epitaxia SiC
Existem dois tipos de epitaxia: homogênea e heterogênea. Para produzir dispositivos de SiC com resistência específica e outros parâmetros para diferentes aplicações, o substrato deve atender às condições de epitaxia antes que a produção possa começar. A qualidade da epitaxia afeta o desempenho do di......
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Gravura a Seco vs Gravura a Úmido
Na fabricação de semicondutores, a gravação é uma das etapas principais, junto com a fotolitografia e a deposição de filmes finos. Envolve a remoção de materiais indesejados da superfície de um wafer usando métodos químicos ou físicos. Esta etapa é realizada após revestimento, fotolitografia e revel......
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Luxação em cristais de SiC
O substrato de SiC pode apresentar defeitos microscópicos, como deslocamento do parafuso rosqueado (TSD), deslocamento da borda rosqueada (TED), deslocamento do plano base (BPD) e outros. Esses defeitos são causados por desvios no arranjo dos átomos no nível atômico.
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Sobre defeitos em cristais de SiC - Micropipe
O substrato de SiC pode apresentar defeitos microscópicos, como deslocamento do parafuso rosqueado (TSD), deslocamento da borda rosqueada (TED), deslocamento do plano base (BPD) e outros. Esses defeitos são causados por desvios no arranjo dos átomos no nível atômico. Os cristais de SiC também pode......
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