- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Notícias da indústria
Introdução aos semicondutores de terceira geração: GaN e tecnologias epitaxiais relacionadas
Os materiais GaN ganharam destaque após a concessão do Prêmio Nobel de Física de 2014 para LEDs azuis. Chegando inicialmente aos olhos do público por meio de aplicações de carregamento rápido em eletrônicos de consumo, amplificadores de potência baseados em GaN e dispositivos de RF também surgiram s......
consulte Mais informação
Substrato vs. Epitaxia: papéis principais na fabricação de semicondutores
Nos domínios da tecnologia de semicondutores e da microeletrônica, os conceitos de substratos e epitaxia têm uma importância significativa. Eles desempenham papéis críticos no processo de fabricação de dispositivos semicondutores. Este artigo irá aprofundar as diferenças entre substratos semiconduto......
consulte Mais informação
Parâmetros-chave de substratos de carboneto de silício (SiC)
O processo de produção de carboneto de silício (SiC) abrange a preparação do substrato e da epitaxia do lado dos materiais, seguido pelo design e fabricação do chip, embalagem do dispositivo e, finalmente, distribuição para mercados de aplicação downstream. Entre essas etapas, o processamento do mat......
consulte Mais informação
Aplicações de carboneto de silício
O carboneto de silício tem um grande número de aplicações em indústrias emergentes e tradicionais. Atualmente, o mercado global de semicondutores ultrapassou 100 bilhões de yuans. Espera-se que, até 2025, as vendas globais de materiais de fabricação de semicondutores atinjam 39,5 bilhões de dólares ......
consulte Mais informação
Introdução ao processo de implantação e recozimento de íons de carboneto de silício
Na fabricação tradicional de dispositivos de energia de silício, a difusão em alta temperatura e a implantação de íons são os principais métodos para controle de dopantes, cada um com suas vantagens e desvantagens. Normalmente, a difusão em alta temperatura é caracterizada por sua simplicidade, cust......
consulte Mais informação
