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Notícias da indústria
Dificuldade na preparação de substratos de SiC
Atualmente, a tendência mais importante no desenvolvimento do substrato é expandir o diâmetro. A linha de produção em massa de 6 polegadas no mercado global de SiC está amadurecendo e empresas líderes entraram no mercado de 8 polegadas.
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Substrato de carboneto de silício
O processo de substrato de carboneto de silício é complexo e difícil de fabricar. O substrato SiC ocupa o principal valor da cadeia industrial, respondendo por 47%. A expectativa é que com a expansão da capacidade de produção e a melhoria do rendimento no futuro, caia para 30%.
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Compreendendo a tecnologia de gravação a seco na indústria de semicondutores
Atualmente, muitos dispositivos semicondutores empregam estruturas de dispositivos mesa, que são predominantemente criadas através de dois tipos de gravação: gravação úmida e gravação seca. Embora a gravação úmida simples e rápida desempenhe um papel significativo na fabricação de dispositivos semic......
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Introdução aos dispositivos de potência de carboneto de silício
Dispositivos de potência de carboneto de silício (SiC) são dispositivos semicondutores feitos de materiais de carboneto de silício, usados principalmente em aplicações eletrônicas de alta frequência, alta temperatura, alta tensão e alta potência. Em comparação com os dispositivos de energia tradic......
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Dificuldades na preparação de GaN
Como material semicondutor de terceira geração, o nitreto de gálio é frequentemente comparado ao carboneto de silício. O nitreto de gálio ainda demonstra sua superioridade com seu grande bandgap, alta tensão de ruptura, alta condutividade térmica, alta velocidade de deriva de elétrons saturados e fo......
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