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Notícias da indústria

Processo de oxidação

A etapa mais básica de todos os processos é o processo de oxidação. O processo de oxidação consiste em colocar a pastilha de silício em uma atmosfera de oxidantes, como oxigênio ou vapor de água para tratamento térmico de alta temperatura (800 ~ 1200 ℃), e uma reação química ocorre na superfície da ......

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Por que a epitaxia de nitreto de glium (GaN) não cresce em um substrato de GaN?

O crescimento da epitaxia GaN no substrato GaN apresenta um desafio único, apesar das propriedades superiores do material quando comparado ao silício. A epitaxia GaN oferece vantagens significativas em termos de largura de banda, condutividade térmica e campo elétrico de ruptura em relação aos mater......

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Como fazer o processo CMP

No processo de fabricação do wafer de silício, depois que a haste de cristal é cortada em wafers de silício, ela precisará ser polida e limpa para obter um wafer de silício de cristal único como um espelho.

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O que é o processo CMP

Na fabricação de semicondutores, a planicidade em nível atômico é geralmente usada para descrever a planicidade global do wafer, com a unidade de nanômetros (nm).

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Implante iônico e processo de difusão

A implantação iônica é um método de dopagem de semicondutores e um dos principais processos na fabricação de semicondutores.

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Desafios da tecnologia de implantação iônica em dispositivos de energia SiC e GaN

Espera-se que semicondutores de banda larga (WBG), como carboneto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN), desempenhem um papel cada vez mais importante em dispositivos eletrônicos de potência. Eles oferecem diversas vantagens em relação aos dispositivos tradicionais de silício (Si), incluindo mai......

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