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Notícias da indústria
Fluxo do processo do núcleo do substrato de carboneto de silício
O substrato de carboneto de silício é um material semicondutor composto de cristal único composto por dois elementos, carbono e silício. Possui as características de grande bandgap, alta condutividade térmica, alta intensidade de campo de ruptura crítica e alta taxa de deriva de saturação de elétron......
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O papel crítico dos substratos de SiC e do crescimento de cristais na indústria de semicondutores
Dentro da cadeia industrial de carboneto de silício (SiC), os fornecedores de substratos detêm uma influência significativa, principalmente devido à distribuição de valor. Os substratos de SiC representam 47% do valor total, seguidos pelas camadas epitaxiais com 23%, enquanto o design e a fabricação......
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Aplicação de SiC e GaN em veículos elétricos
Os MOSFETs de SiC são transistores que oferecem alta densidade de potência, maior eficiência e baixas taxas de falha em altas temperaturas. Essas vantagens dos MOSFETs de SiC trazem inúmeros benefícios aos veículos elétricos (EVs), incluindo maior autonomia de condução, carregamento mais rápido e ve......
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Óxido de gálio/β-Ga2O3 de semicondutores de 4ª geração
A primeira geração de materiais semicondutores é representada principalmente pelo silício (Si) e pelo germânio (Ge), que começaram a crescer na década de 1950. O germânio era dominante nos primeiros dias e era usado principalmente em transistores e fotodetectores de baixa tensão, baixa frequência e ......
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Crescimento epitaxial livre de defeitos e luxações desajustadas
O crescimento epitaxial livre de defeitos ocorre quando uma rede cristalina tem constantes de rede quase idênticas a outra. O crescimento acontece quando os locais de rede das duas redes na região de interface são aproximadamente correspondidos, o que é possível com uma pequena incompatibilidade de ......
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