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Notícias da indústria
Heteroepitaxia de 3C-SiC: Uma Visão Geral
O desenvolvimento do 3C-SiC, um politipo significativo de carboneto de silício, reflete o avanço contínuo da ciência dos materiais semicondutores. Na década de 1980, Nishino et al. alcançou pela primeira vez um filme 3C-SiC de 4 μm de espessura em um substrato de silício usando deposição química de ......
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Silício monocristalino vs. silício policristalino
O silício monocristalino e o silício policristalino têm, cada um, suas próprias vantagens exclusivas e cenários aplicáveis. O silício monocristalino é adequado para produtos eletrônicos e microeletrônica de alto desempenho devido às suas excelentes propriedades elétricas e mecânicas. O silício polic......
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Substrato e Epitaxia
No processo de preparação do wafer, existem dois elos principais: um é a preparação do substrato e o outro é a implementação do processo epitaxial. O substrato, um wafer cuidadosamente feito de material semicondutor de cristal único, pode ser colocado diretamente no processo de fabricação do wafer c......
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Bolacha de Silício
O material de silício é um material sólido com certas propriedades elétricas semicondutoras e estabilidade física e fornece suporte de substrato para o processo subsequente de fabricação de circuitos integrados. É um material chave para circuitos integrados baseados em silício. Mais de 95% dos dispo......
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Fluxo do processo do núcleo do substrato de carboneto de silício
O substrato de carboneto de silício é um material semicondutor composto de cristal único composto por dois elementos, carbono e silício. Possui as características de grande bandgap, alta condutividade térmica, alta intensidade de campo de ruptura crítica e alta taxa de deriva de saturação de elétron......
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