2025-06-27
Pbn, ou nitreto de boro pirolítico, pertence ao sistema hexagonal e é um material não metálico inorgânico avançado, com pureza de até 99,999%. Possui boa densidade, sem poros, bom isolamento e condutividade térmica, resistência a alta temperatura, inércia química, resistência a ácido, resistência a alcalina e resistência a oxidação. Possui anisotropia óbvia em propriedades mecânicas, térmicas e elétricas. É um componente cadinho e chave ideal no crescimento de cristais de semicondutores (método VGF, método VB, método LEC, método HB), síntese policristalina, epitaxia de MBE, evaporação OLED, equipamentos de microondas de alta potência, etc. Sob condições de alta temperatura e alto vácuo, halogenetos de boro de alta pureza e amônia e outras matérias-primas são introduzidas na câmara de reação CVD. Após a reação de rachadura, cresce lentamente na superfície de substratos como grafite. O PBN pode ser cultivado diretamente em recipientes como cadinhos, barcos e tubos, ou pode ser depositado em placas primeiro e depois processado em várias partes do PBN. Também pode ser revestido em outros substratos para proteção, e as especificações do produto são personalizadas de acordo com os cenários de aplicação. Ao contrário do nitreto de boro sinterizado com pressão quente, o PBN é preparado usando a deposição avançada de vapor químico (DCV), que possui fortes barreiras técnicas e um alto grau de concentração da indústria.
Os produtos PBN desempenham um papel insubstituível no campo semicondutor. As aplicações a jusante envolvem principalmente crescimento de cristais, síntese policristalina, epitaxia do feixe molecular (MBE), OLED, deposição de vapor químico orgânico (MOCVD), peças de equipamentos semicondutores de ponta, aeroespacial e outros campos.
1) Crescimento do cristal
O crescimento de cristais únicos compostos de semicondutores (como arseneto de gálio, fosfeto de índio etc.) requer um ambiente extremamente rigoroso, incluindo temperatura, pureza da matéria -prima e a pureza e a inércia química do recipiente de crescimento. Atualmente, o PBN Crucible é o contêiner mais ideal para o crescimento de cristal único semicondutor composto. Os principais métodos para o crescimento de cristal único semicondutor composto são o método LEC, o método HB, o método VB e o método VGF. Os cadios pbn correspondentes incluem cadinho LEC, cadinho VB e cadinho VGF.
2) Epitaxia de feixe molecular (MBE)
O MBE é um dos processos de crescimento epitaxial mais importantes dos semicondutores III-V e II-VI no mundo hoje. Esse tipo de tecnologia é um método de crescimento de filmes finos por camada por camada ao longo do eixo cristalino do material do substrato sob substratos apropriados e condições adequadas. O PBN Crucible é um recipiente de forno de origem necessário no processo MBE.
3) Exibição de diodo emissor de luz orgânica (OLED)
O OLED é considerado uma nova geração de tecnologia de exibição de painel plano devido às suas excelentes características, como auto-luminescência, sem necessidade de luz de fundo, alto contraste, espessura fina, ângulo de visualização larga, velocidade de reação rápida, pode ser usada para painéis flexíveis, ampla faixa de temperatura de operação, estrutura e processo simples. O evaporador é o componente principal do sistema de evaporação OLED. Entre eles, o anel guia do PBN e o cadinho estão os principais componentes da unidade de evaporação. O anel -guia precisa ter uma boa condutividade térmica e desempenho de isolamento, pode ser processada em formas complexas e não se deforma ou libera gás em altas temperaturas. O cadinho precisa ter pureza ultra-alta, resistência a alta temperatura, isolamento elétrico e sem umedecimento com o material de origem. O PBN é um material ideal para uso generalizado.
4) Equipamento de semicondutores de ponta
À medida que os chips semicondutores continuam se desenvolvendo em direção a miniaturização e alta potência, os requisitos para equipamentos e sistemas de fabricação de semicondutores estão se tornando cada vez mais altos. Os produtos de material PBN são amplamente utilizados nos componentes principais do equipamento de ponta devido à sua pureza ultra-alta, alta condutividade térmica, isolamento elétrico, resistência à corrosão, resistência a oxidação e várias anisotropia do desempenho.
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