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Notícias da indústria
Substrato vs. Epitaxia: papéis principais na fabricação de semicondutores
Nos domínios da tecnologia de semicondutores e da microeletrônica, os conceitos de substratos e epitaxia têm uma importância significativa. Eles desempenham papéis críticos no processo de fabricação de dispositivos semicondutores. Este artigo irá aprofundar as diferenças entre substratos semiconduto......
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Parâmetros-chave de substratos de carboneto de silício (SiC)
O processo de produção de carboneto de silício (SiC) abrange a preparação do substrato e da epitaxia do lado dos materiais, seguido pelo design e fabricação do chip, embalagem do dispositivo e, finalmente, distribuição para mercados de aplicação downstream. Entre essas etapas, o processamento do mat......
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Aplicações de carboneto de silício
O carboneto de silício tem um grande número de aplicações em indústrias emergentes e tradicionais. Atualmente, o mercado global de semicondutores ultrapassou 100 bilhões de yuans. Espera-se que, até 2025, as vendas globais de materiais de fabricação de semicondutores atinjam 39,5 bilhões de dólares ......
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Introdução ao processo de implantação e recozimento de íons de carboneto de silício
Na fabricação tradicional de dispositivos de energia de silício, a difusão em alta temperatura e a implantação de íons são os principais métodos para controle de dopantes, cada um com suas vantagens e desvantagens. Normalmente, a difusão em alta temperatura é caracterizada por sua simplicidade, cust......
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Método para preparar pó de SiC
O carboneto de silício (SiC) é uma substância inorgânica. A quantidade de carboneto de silício que ocorre naturalmente é muito pequena. É um mineral raro e é chamado moissanita. O carboneto de silício usado na produção industrial é principalmente sintetizado artificialmente.
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