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Notícias da indústria
Controle de dopagem no crescimento de SiC por sublimação
O carboneto de silício (SiC) desempenha um papel importante na fabricação de eletrônicos de potência e dispositivos de alta frequência devido às suas excelentes propriedades elétricas e térmicas. A qualidade e o nível de dopagem dos cristais de SiC afetam diretamente o desempenho do dispositivo, por......
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Aplicações de componentes de grafite revestidos com TaC
No processo de cultivo de monocristais de SiC e AlN pelo método de transporte físico de vapor (PVT), componentes como o cadinho, o suporte do cristal semente e o anel guia desempenham um papel vital. Durante o processo de preparação do SiC, o cristal semente está localizado em uma região de temperat......
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Processo de corte e retificação de substrato
O material do substrato SiC é o núcleo do chip SiC. O processo de produção do substrato é: após a obtenção do lingote de cristal de SiC por meio do crescimento de monocristal; então a preparação do substrato de SiC requer alisamento, arredondamento, corte, retificação (desbaste); polimento mecânico;......
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Diferenças entre cristais de SiC com estruturas diferentes
O carboneto de silício (SiC) é um material que possui excepcional estabilidade térmica, física e química, apresentando propriedades que vão além das dos materiais convencionais. Sua condutividade térmica é de surpreendentes 84W/(m·K), que não é apenas superior à do cobre, mas também três vezes maior......
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O que é um revestimento TaC em grafite?
No campo em rápida evolução da fabricação de semicondutores, mesmo as menores melhorias podem fazer uma grande diferença quando se trata de alcançar desempenho, durabilidade e eficiência ideais. Um avanço que está gerando muita agitação na indústria é o uso do revestimento TaC (Carbeto de Tântalo) e......
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