O susceptor de wafer Semicorex é especialmente projetado para o processo de epitaxia de semicondutores. Ele desempenha um papel vital para garantir a precisão e a eficiência do manuseio dos wafers. Somos uma empresa líder na indústria chinesa de semicondutores, comprometida em fornecer a você os melhores produtos e serviços.*
O Semicorex Wafer Susceptor é habilmente fabricado a partir de grafite e revestido com carboneto de silício (SiC) para atender às exigentes condições da fabricação moderna de semicondutores.
Nos processos de epitaxia, manter um ambiente estável e controlado é absolutamente essencial. O Wafer Susceptor serve como plataforma fundamental sobre a qual os wafers são colocados durante a deposição, atendendo a requisitos precisos de uniformidade de temperatura, inércia química e resistência mecânica para obter camadas epitaxiais de alta qualidade.
A escolha do grafite como material de base para o Susceptor Wafer é motivada por sua excelente condutividade térmica e propriedades mecânicas. A capacidade do grafite de suportar altas temperaturas enquanto mantém a integridade estrutural é crucial nos ambientes de alta temperatura dos reatores epitaxiais. Além disso, a condutividade térmica do grafite garante uma distribuição eficiente do calor através do wafer, reduzindo o risco de gradientes de temperatura que poderiam levar a defeitos na camada epitaxial.
Para melhorar o desempenho do Wafer Susceptor, um revestimento de carboneto de silício (SiC) é aplicado habilmente à base de grafite. O SiC é um material altamente durável com resistência química superior, tornando-o ideal para uso em ambientes semicondutores onde gases reativos estão frequentemente presentes. O revestimento SiC fornece uma barreira protetora que protege o grafite de possíveis reações químicas, garantindo a longevidade do susceptor do wafer e mantendo um ambiente limpo dentro do reator.
O susceptor de wafer Semicorex feito de grafite revestido com SiC é um componente indispensável em processos de epitaxia de semicondutores. Sua combinação das propriedades térmicas e mecânicas do grafite com a estabilidade química e térmica do carboneto de silício o torna ideal para as rigorosas demandas da fabricação moderna de semicondutores. O design de wafer único oferece controle preciso sobre o processo de epitaxia, contribuindo para a produção de dispositivos semicondutores de alta qualidade. Este susceptor garante que os wafers sejam manuseados com o máximo cuidado e precisão, resultando em camadas epitaxiais superiores e produtos semicondutores de melhor desempenho.