Barril de SiC para Epitaxia de Silício

Semicorex SiC Barrel For Silicon Epitaxy é construído usando material de grafite revestido com carboneto de silício (SiC). Esta construção exclusiva garante excelente resistência a choques térmicos e degradação química, prolongando a vida útil do susceptor e mantendo a confiabilidade do processo.

O revestimento avançado de SiC no SiC Barrel For Silicon Epitaxy fornece condutividade térmica e distribuição de calor superiores, promovendo perfis de temperatura uniformes em todo o susceptor. Isso melhora o controle do processo, minimiza gradientes térmicos e garante um crescimento consistente da camada epitaxial, resultando em filmes de silício de alta qualidade com uniformidade e pureza excepcionais.

Nosso SiC Barrel For Silicon Epitaxy pode ser personalizado para atender a requisitos e preferências específicas. Desde ajustes de tamanho até variações de espessura de revestimento, oferecemos flexibilidade no projeto para acomodar vários parâmetros de processo e otimizar o desempenho para aplicações específicas.

Nosso SiC Barrel For Silicon Epitaxy oferece confiabilidade e longevidade, reduzindo o tempo de inatividade e os custos de manutenção associados a substituições frequentes. Sua construção robusta e desempenho excepcional contribuem para melhorar a eficiência do processo, aumentando, em última análise, a produtividade e a economia das operações de fabricação de semicondutores.