O Semicorex Silicon Shield Ring é um componente de silício de alta pureza projetado para sistemas avançados de gravação a plasma, servindo tanto como escudo protetor quanto como eletrodo auxiliar. Semicorex garante desempenho ultralimpo, estabilidade de processo e resultados de gravação superiores com componentes semicondutores projetados com precisão.*
O Semicorex Silicon Shield Ring é um componente semicondutor crítico no processo de gravação. Sua principal função é envolver o eletrodo e evitar vazamento excessivo de plasma. Com uma pureza de material superior a 9N (99,9999999%), o anel de blindagem pode ser fabricado tanto em monocristalino quanto em multicristalinosilício, garantindo operação ultralimpa e compatibilidade confiável com processos avançados de fabricação de semicondutores.
O controle preciso do plasma no processo de gravação CCP/ICP é essencial para uma taxa de gravação uniforme e eficaz e qualidade do wafer. O vazamento descontrolado de plasma fora da área de gravação desejada pode criar erosão superficial e contaminação ou danificar os componentes dentro da câmara. O anel de proteção de silício é uma solução simples e eficaz para esse problema, criado para formar uma barreira protetora no perímetro externo do eletrodo, impedindo que o plasma se espalhe para fora da área alvo e restringindo a gravação apenas à área desejada. O anel de proteção de silício também atua como um eletrodo externo para estabilizar a distribuição do plasma e permitir uma energia mais uniforme na superfície do wafer.
As propriedades térmicas e elétricas do silício apoiam ainda mais o desempenho do Etching Shield Ring. Sua resistência a altas temperaturas de processo proporciona integridade estrutural durante exposição prolongada ao plasma, e sua condutividade elétrica permite que o componente opere adequadamente como um elemento no sistema de eletrodos. Juntas, essas aplicações melhoram o confinamento do plasma e melhoram a uniformidade de energia, o que permite perfis de gravação repetíveis em wafers.
A tolerância mecânica é outra característica notável do Anel de Proteção de Gravura em Silício. Por ser fabricado com tolerâncias restritas, garante um posicionamento preciso ao redor do eletrodo e mantém o espaçamento e a geometria da câmara. Essa precisão mecânica gera condições de processo repetíveis para menor variabilidade entre execuções individuais e ajuda a permitir a produção de semicondutores em alto volume. O material em si possui excelente compatibilidade com ambientes de plasma; portanto, a erosão de sua estrutura permite que ele normalmente forneça longa vida útil e estabilidade no desempenho do processo.
Durabilidade e economia são dois benefícios mais valiosos. Ao proteger do plasma seções desnecessárias da câmara, o anel de blindagem reduz o desgaste de outros componentes críticos, o que diminui os esforços de manutenção e aumenta o tempo operacional geral. A longa vida útil e a substituição menos frequente tornam-no uma solução econômica para fábricas de semicondutores para aumentar a produtividade e, assim, reduzir os custos operacionais.
OSilícioO anel de proteção também pode ser personalizado para cada configuração de ferramenta e especificações de processo, uma vez que estão disponíveis em vários tamanhos e geometrias para acomodar as diversas câmaras de gravação a plasma que os fabricantes fabricam, ao mesmo tempo em que alcançam o ajuste ideal. Além disso, tratamentos de superfície e polimento podem ser utilizados para reduzir ainda mais a geração de partículas para padrões de fabricação ultralimpos.