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O revestimento de SiC é uma camada fina sobre o susceptor através do processo de deposição química de vapor (CVD). O material de carboneto de silício oferece uma série de vantagens sobre o silício, incluindo 10x a resistência do campo elétrico de ruptura, 3x o intervalo de banda, que fornece ao material alta temperatura e resistência química, excelente resistência ao desgaste e condutividade térmica.

A Semicorex fornece serviço personalizado, ajuda você a inovar com componentes que duram mais, reduz os tempos de ciclo e melhora os rendimentos.


O revestimento de SiC possui várias vantagens exclusivas

Resistência a altas temperaturas: o susceptor revestido de CVD SiC pode suportar altas temperaturas de até 1600°C sem sofrer degradação térmica significativa.

Resistência química: O revestimento de carboneto de silício oferece excelente resistência a uma ampla gama de produtos químicos, incluindo ácidos, álcalis e solventes orgânicos.

Resistência ao Desgaste: O revestimento de SiC confere ao material uma excelente resistência ao desgaste, tornando-o adequado para aplicações que envolvem alto desgaste.

Condutividade Térmica: O revestimento CVD SiC fornece ao material alta condutividade térmica, tornando-o adequado para uso em aplicações de alta temperatura que requerem transferência de calor eficiente.

Alta Resistência e Rigidez: O susceptor revestido de carboneto de silício fornece ao material alta resistência e rigidez, tornando-o adequado para aplicações que requerem alta resistência mecânica.


O revestimento de SiC é usado em várias aplicações

Fabricação de LED: O susceptor revestido CVD SiC é usado na fabricação processada de vários tipos de LED, incluindo LED azul e verde, LED UV e LED UV profundo, devido à sua alta condutividade térmica e resistência química.



Comunicação móvel: o susceptor CVD SiC revestido é uma parte crucial do HEMT para concluir o processo epitaxial GaN-on-SiC.



Processamento de semicondutores: O susceptor revestido CVD SiC é usado na indústria de semicondutores para várias aplicações, incluindo processamento de wafer e crescimento epitaxial.





Componentes de grafite revestidos com SiC

Feito de grafite de carboneto de silício (SiC), o revestimento é aplicado por um método CVD a graus específicos de grafite de alta densidade, para que possa operar no forno de alta temperatura com mais de 3000 ° C em atmosfera inerte, 2200 ° C no vácuo .

As propriedades especiais e a baixa massa do material permitem altas taxas de aquecimento, distribuição uniforme de temperatura e excelente precisão no controle.


Dados de material do Revestimento Semicorex SiC

Propriedades típicas

Unidades

valores

Estrutura


FCC fase β

Orientação

Fração (%)

111 preferido

Densidade aparente

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Capacidade de calor

J·kg-1 ·K-1

640

Expansão térmica 100-600 °C (212-1112 °F)

10-6K-1

4.5

Módulo de Young

Gpa (dobra de 4pt, 1300â)

430

Tamanho de grão

¼m

2~10

Temperatura de sublimação

2700

Força Felexural

MPa (RT 4 pontos)

415

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Conclusão O susceptor revestido CVD SiC é um material compósito que combina as propriedades de um susceptor e carboneto de silício. Este material possui propriedades únicas, incluindo alta temperatura e resistência química, excelente resistência ao desgaste, alta condutividade térmica e alta resistência e rigidez. Essas propriedades o tornam um material atraente para várias aplicações de alta temperatura, incluindo processamento de semicondutores, processamento químico, tratamento térmico, fabricação de células solares e fabricação de LEDs.






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