SiC Coating Flat Part

A parte plana do revestimento SiC semicorex é um componente de grafite revestido de SiC de alto desempenho projetado especificamente para o processo de epitaxia SiC. Sua função principal é facilitar a condução uniforme do fluxo de ar e garantir a distribuição consistente de gás durante o estágio de crescimento epitaxial, tornando -o um componente indispensável na fabricação de semicondutores do SiC. A escolha do Semicorex garante soluções superiores de qualidade e engenharia de precisão adaptadas à indústria de semicondutores.

O revestimento SiC fornece resistência excepcional a altas temperaturas, corrosão química e deformação térmica, garantindo um desempenho duradouro em ambientes exigentes. A base de grafite aprimora a integridade estrutural do componente, enquanto o revestimento SiC uniforme garante uma superfície de alta pureza crítica para processos sensíveis à epitaxia. Essa combinação de materiais torna a parte plana do revestimento SiC uma solução confiável para alcançar camadas epitaxiais uniformes e otimizar a eficiência geral da produção.

A excelente condutividade térmica e estabilidade da grafite fornecem vantagens significativas como componente no equipamento epitaxial. No entanto, o uso de grafite puro sozinho pode levar a vários problemas. Durante o processo de produção, gases corrosivos e resíduos metálicos-orgânicos podem fazer com que a base de grafite corronha e se deteriore, reduzindo significativamente sua vida útil. Além disso, qualquer pó de grafite que cai pode contaminar o chip, tornando essencial abordar esses problemas durante a preparação da base.

A tecnologia de revestimento pode efetivamente mitigar esses problemas corrigindo o pó de superfície, aumentando a condutividade térmica e equilibrando a distribuição de calor. Essa tecnologia é vital para garantir a durabilidade da base de grafite. Dependendo do ambiente de aplicativos e dos requisitos de uso específicos, o revestimento de superfície deve possuir as seguintes características:

1. Alta densidade e cobertura total: a base de grafite opera em um ambiente corrosivo de alta temperatura e deve ser completamente coberto. O revestimento deve ser denso para fornecer proteção eficaz.

2. Boa planicidade da superfície: a base de grafite usada para crescimento de cristal único exige uma planicidade de superfície muito alta. Portanto, o processo de revestimento deve manter a planicidade original da base, garantindo que a superfície do revestimento seja uniforme.

3. Forte força de ligação: para melhorar a ligação entre a base de grafite e o material de revestimento, é crucial minimizar a diferença nos coeficientes de expansão térmica. Esse aprimoramento garante que o revestimento permaneça intacto, mesmo depois de passar por ciclos térmicos de alta e baixa temperatura.

4. Alta condutividade térmica: para o crescimento ideal dos chips, a base de grafite deve fornecer distribuição de calor rápida e uniforme. Consequentemente, o material de revestimento deve ter alta condutividade térmica.

5. Alto ponto de fusão e resistência à oxidação e corrosão: o revestimento deve ser capaz de funcionar de maneira confiável em ambientes de alta temperatura e corrosivo.

Ao focar nessas características-chave, a longevidade e o desempenho dos componentes baseados em grafite em equipamentos epitaxiais podem ser significativamente melhorados.

Com técnicas avançadas de fabricação, o Semicorex fornece designs personalizados para atender aos requisitos específicos do processo. A parte plana do revestimento SiC é rigorosamente testada quanto à precisão e durabilidade dimensional, refletindo o compromisso dos semicorexos com a excelência em materiais semicondutores. Seja usado em configurações de produção em massa ou pesquisa, esse componente garante controle preciso e alto rendimento em aplicações de epitaxia SiC.