O revestimento de SiC é uma camada fina sobre o susceptor através do processo de deposição química de vapor (CVD). O material de carboneto de silício oferece uma série de vantagens sobre o silício, incluindo 10x a resistência do campo elétrico de ruptura, 3x o intervalo de banda, o que fornece ao material alta temperatura e resistência química, excelente resistência ao desgaste, bem como condutividade térmica.
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O revestimento SiC possui várias vantagens exclusivas
Resistência a altas temperaturas: O susceptor revestido com CVD SiC pode suportar altas temperaturas de até 1600°C sem sofrer degradação térmica significativa.
Resistência Química: O revestimento de carboneto de silício oferece excelente resistência a uma ampla gama de produtos químicos, incluindo ácidos, álcalis e solventes orgânicos.
Resistência ao desgaste: O revestimento SiC confere ao material excelente resistência ao desgaste, tornando-o adequado para aplicações que envolvem alto desgaste.
Condutividade Térmica: O revestimento CVD SiC fornece ao material alta condutividade térmica, tornando-o adequado para uso em aplicações de alta temperatura que exigem transferência de calor eficiente.
Alta resistência e rigidez: O susceptor revestido de carboneto de silício confere ao material alta resistência e rigidez, tornando-o adequado para aplicações que requerem alta resistência mecânica.
O revestimento SiC é usado em diversas aplicações
Fabricação de LED: O susceptor revestido com SiC CVD é usado na fabricação de vários tipos de LED, incluindo LED azul e verde, LED UV e LED UV profundo, devido à sua alta condutividade térmica e resistência química.
Comunicação móvel: O susceptor revestido com CVD SiC é uma parte crucial do HEMT para completar o processo epitaxial GaN-on-SiC.
Processamento de semicondutores: O susceptor revestido de CVD SiC é usado na indústria de semicondutores para diversas aplicações, incluindo processamento de wafer e crescimento epitaxial.
Componentes de grafite revestidos com SiC
Feito de grafite Silicon Carbide Coating (SiC), o revestimento é aplicado por um método CVD em graus específicos de grafite de alta densidade, para que possa operar no forno de alta temperatura com mais de 3.000 °C em atmosfera inerte, 2.200 °C em vácuo .
As propriedades especiais e a baixa massa do material permitem taxas de aquecimento rápidas, distribuição uniforme de temperatura e excelente precisão no controle.
Dados materiais do revestimento Semicorex SiC
Propriedades típicas |
Unidades |
Valores |
Estrutura |
|
Fase β do FCC |
Orientação |
Fração (%) |
111 preferido |
Densidade aparente |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Expansão térmica 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Conclusão O susceptor revestido com CVD SiC é um material compósito que combina as propriedades de um susceptor e de carboneto de silício. Este material possui propriedades únicas, incluindo alta temperatura e resistência química, excelente resistência ao desgaste, alta condutividade térmica e alta resistência e rigidez. Essas propriedades o tornam um material atraente para diversas aplicações de alta temperatura, incluindo processamento de semicondutores, processamento químico, tratamento térmico, fabricação de células solares e fabricação de LED.
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