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Porta-barcos SiC Wafer
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Porta-barcos SiC Wafer

Semicorex SiC Wafer Boat Carrier é uma solução de manuseio de carboneto de silício de alta pureza projetada para suportar e transportar com segurança barcos wafer em processos de fornos semicondutores de alta temperatura. Escolher a Semicorex significa trabalhar com um parceiro OEM confiável que combina profundo conhecimento em materiais de SiC, usinagem de precisão e qualidade confiável para apoiar a produção estável e de longo prazo de semicondutores.*

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Descrição do produto

No cenário em rápida evolução da fabricação de semicondutores — especificamente a produção de dispositivos de energia SiC e GaN para veículos elétricos, infraestrutura 5G e energia renovável — a confiabilidade do seu hardware de manuseio de wafer não é negociável. O porta-barcos Semicorex SiC Wafer representa o auge da engenharia de materiais, projetado para substituir os componentes tradicionais de quartzo e grafite em ambientes de alta temperatura e alta pureza.


Por que o carboneto de silício é a escolha da indústria

À medida que os nós semicondutores encolhem e os tamanhos dos wafers passam para 200 mm (8 polegadas), as limitações térmicas e químicas do quartzo tornam-se um gargalo. Nosso SiC Wafer Boat Carrier é projetado usandoCarboneto de Silício Sinterizadoou SiC revestido com CVD, oferecendo uma combinação única de condutividade térmica, resistência mecânica e inércia química.


1. Estabilidade térmica excepcional

Os materiais tradicionais muitas vezes sofrem de "queda" ou deformação quando expostos às temperaturas extremas necessárias para difusão e recozimento. Nosso SiC Wafer Boat Carrier mantém a integridade estrutural em temperaturas superiores a 1.600°C. Essa alta estabilidade térmica garante que os slots do wafer permaneçam perfeitamente alinhados, evitando o "chocalhar" ou o travamento do wafer durante transferências robóticas automatizadas.


2. Alta pureza e baixa contaminação

Em um ambiente de sala limpa, as partículas são inimigas do rendimento. Nossos porta-barcos passam por um processo de revestimento proprietário CVD (Chemical Vapor Deposition). Isso cria uma superfície densa e não porosa que atua como uma barreira contra a liberação de gases de impurezas. Com níveis de impurezas metálicas ultrabaixos, nossos transportadores garantem que seus wafers, sejam eles de silício ou de carboneto de silício, permaneçam livres de contaminação cruzada durante ciclos críticos de alta temperatura.


3. CTE correspondente (coeficiente de expansão térmica)

Uma das principais causas da tensão do wafer e das linhas de deslizamento é uma incompatibilidade na expansão térmica entre o transportador e o wafer. Nossos barcos de SiC são projetados com um CTE que se aproxima dos wafers de SiC. Essa sincronização minimiza o estresse mecânico durante as fases rápidas de aquecimento e resfriamento (RTP), melhorando significativamente o rendimento geral da matriz.


Principais especificações técnicas

Recurso
Especificação
Beneficiar
Material
Alfa SiC / CVD SiC sinterizado
Máxima durabilidade e transferência térmica
Temperatura operacional máxima
Até 1.800°C
Ideal para epitaxia e difusão de SiC
Resistência Química
HF, HNO3, KOH, HCl
Fácil limpeza e longa vida útil
Acabamento de superfície
< 0,4 μm Ra
Fricção reduzida e geração de partículas
Tamanhos de wafer
100mm, 150mm, 200mm
Versatilidade para linhas legadas e modernas



Aplicações em Fabricação Avançada

Nosso SiC Wafer Boat Carrier é otimizado para os processos de "zona quente" mais exigentes da fábrica:



  • LPCVD e PECVD: A alta resistência a precursores químicos evita a degradação do barco, garantindo uma vida útil consistente do kit de processo.
  • Oxidação em alta temperatura: Ao contrário do quartzo, o SiC não desvitrifica, mantendo sua resistência ao longo de milhares de ciclos.
  • Difusão e Recozimento: A uniformidade térmica superior em todo o barco garante que cada wafer do lote experimente exatamente o mesmo perfil térmico.
  • SiC Epitaxy: Projetado especificamente para suportar os ambientes agressivos necessários para o crescimento de camadas epitaxiais em substratos de SiC.



A durabilidade encontra a eficiência de custos

Embora o investimento inicial em hardware SiC seja superior ao quartzo, o Custo Total de Propriedade (TCO) é significativamente menor. Nossos transportadores são construídos para durarem, geralmente durando de 5 a 10 vezes mais do que os materiais tradicionais. Isso reduz a frequência de tempo de inatividade da ferramenta para substituição de peças e minimiza o risco de falha catastrófica do barco, que poderia arruinar um lote inteiro de wafers caros.


Confie seu processo à engenharia comprovada

Entendemos que na indústria de semicondutores, “bom o suficiente” nunca é suficiente. Nosso processo de fabricação inclui inspeção dimensional 100% CMM e limpeza ultrassônica de alta pureza antes da embalagem a vácuo.


Esteja você ampliando uma linha de dispositivos de energia SiC de 200 mm ou otimizando um processo legado de 150 mm, nossa equipe de engenharia está disponível para personalizar o passo da ranhura, o comprimento do barco e as configurações de manuseio para atender aos requisitos específicos do seu forno.



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