Placa SiC ICP

A placa Semicorex SiC ICP é feita de carboneto de silício, conhecida por suas excepcionais propriedades físicas e químicas. Sua natureza robusta garante resistência superior a choque térmico, oxidação e corrosão, que são fatores críticos nos ambientes severos de processamento de semicondutores. O uso do material SiC aumenta significativamente a vida útil da placa, reduzindo a frequência de substituições e, assim, diminuindo os custos de manutenção e o tempo de inatividade nas instalações de produção.

A placa SiC ICP desempenha um papel crucial nos processos de gravação e deposição de plasma, que são fundamentais para a criação de wafers semicondutores. Durante esses processos, a alta condutividade térmica e estabilidade da placa SiC ICP garantem controle preciso da temperatura e distribuição uniforme do plasma, o que é vital para obter resultados de gravação e deposição consistentes e precisos. Esta precisão é crítica na produção de dispositivos semicondutores cada vez mais miniaturizados e complexos, onde mesmo pequenos desvios podem levar a problemas significativos de desempenho.

Uma das características de destaque da placa SiC ICP é sua excepcional resistência mecânica. A dureza e rigidez inerentes ao carboneto de silício proporcionam excelente integridade estrutural, mesmo sob condições extremas. Esta robustez se traduz em um desempenho mais estável e confiável durante processos de plasma de alta intensidade, minimizando o risco de falha de componentes e garantindo uma operação contínua e ininterrupta. Além disso, a natureza leve do material em comparação com os equivalentes metálicos tradicionais contribui para facilitar o manuseio e a instalação, aumentando ainda mais a eficiência operacional.

Além dos seus atributos físicos, a placa SiC ICP oferece excelente estabilidade química. Exibe notável resistência a espécies reativas de plasma, que são predominantes em ambientes de gravação e deposição de semicondutores. Essa resistência garante que a placa mantenha sua integridade e desempenho por longos períodos, mesmo na presença de produtos químicos agressivos utilizados em processos a plasma. Consequentemente, a placa SiC ICP proporciona um ambiente de processamento mais limpo, reduzindo a probabilidade de contaminação e defeitos em wafers semicondutores.