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O transportador de revestimento de SiC Semicorex RTP/RTA foi projetado para suportar as condições mais difíceis do ambiente de deposição. Com sua alta resistência ao calor e à corrosão, este produto foi projetado para fornecer desempenho ideal para crescimento epitaxial. O suporte revestido de SiC possui alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, garantindo desempenho confiável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.

A placa transportadora Semicorex SiC Graphite RTP para MOCVD oferece resistência ao calor superior e uniformidade térmica, tornando-a a solução perfeita para aplicações de processamento de wafer semicondutor. Com grafite revestido com SiC de alta qualidade, este produto foi projetado para suportar o ambiente de deposição mais severo para crescimento epitaxial. A alta condutividade térmica e as excelentes propriedades de distribuição de calor garantem um desempenho confiável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.

A placa transportadora RTP revestida com SiC Semicorex para crescimento epitaxial é a solução perfeita para aplicações de processamento de wafer semicondutor. Com seus susceptores de grafite de carbono de alta qualidade e cadinhos de quartzo processados ​​por MOCVD na superfície de grafite, cerâmica, etc., este produto é ideal para manuseio de wafers e processamento de crescimento epitaxial. O suporte revestido de SiC garante alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor, tornando-o uma escolha confiável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva.

Semicorex é um fabricante e fornecedor em grande escala de Susceptor de grafite revestido com carboneto de silício na China. Susceptor de grafite Semicorex projetado especificamente para equipamentos de epitaxia com alta resistência ao calor e à corrosão na China. Nosso RTP RTA SiC Coated Carrier tem uma boa vantagem de preço e cobre muitos dos mercados europeus e americanos. Estamos ansiosos para nos tornar seu parceiro de longo prazo.

O Semicorex RTP Carrier for MOCVD Epitaxial Growth é ideal para aplicações de processamento de wafer semicondutor, incluindo crescimento epitaxial e processamento de manuseio de wafer. Susceptores de grafite de carbono e cadinhos de quartzo são processados ​​por MOCVD na superfície de grafite, cerâmica, etc. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos dos mercados europeus e americanos. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

O componente ICP revestido com SiC da Semicorex foi projetado especificamente para processos de manuseio de wafer em alta temperatura, como epitaxia e MOCVD. Com um fino revestimento de cristal SiC, nossos transportadores oferecem resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme e resistência química durável.