Anéis externos de poli-si para gravação

Normalmente posicionado em torno dochuveiro, O anel externo Poly-Si atua como peça de conexão entre o anel de exaustão e o chuveiro. Trabalha em cooperação com omandril eletrostático, o chuveiro de Si, o anel de foco de Si, o anel de exaustão de Si e o anel de proteção de Si, criando um ambiente de processo estável e confiável para operação de gravação de alta precisão.

Vantagens dos anéis externos Semicorex poli-Si para gravação

Os anéis externos Semicorex poli-Si para gravação são fabricados com precisão em polissilício de alta qualidade, proporcionando o seguinte excelente desempenho de propriedade.

1.Alta limpeza e baixo teor de partículas

2. resistência superior a altas temperaturas e alta resistência ao choque térmico

3. Resistência à corrosão confiável

4. Desempenho elétrico excepcional e alta uniformidade de condutividade elétrica

Funções dos anéis externos Semicorex poli-Si para gravação

1. Desempenho de aterramento estável

Usados ​​para aterramento e proteção de eletrodos, os anéis externos de poli-Si Semicorex para gravação são capazes de evitar o acúmulo de estática, bem como danos de arco e garantir a operação estável do sistema de eletrodos, atendendo perfeitamente às demandas do processo para fabricação avançada de 3D NAND.

2. Suporte confiável

Os anéis externos Semicorex poli-Si para gravação servem como componentes essenciais que conectam o anel de exaustão e o chuveiro. Eles fornecem suporte mecânico confiável para ambas as peças e as mantêm firmemente posicionadas no local adequado. Além disso, o uso de anéis externos Semicorex poli-Si para gravação pode evitar a erosão do plasma na câmara de gravação, o que garante efetivamente a execução estável da operação de gravação.

3. Compatibilidade com o processo de gravação

Os anéis externos de poli-Si Semicorex para gravação apresentam baixo teor de impurezas e excepcional resistência à corrosão, proporcionando excelente compatibilidade com a fabricação de wafers de silício, o que reduz bastante os defeitos dos wafers causados ​​pela contaminação do subproduto gravado e garante significativamente uma alta taxa de rendimento na produção de semicondutores.