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Anel de foco de processamento de plasma

Anel de foco de processamento de plasma

O anel de foco de processamento de plasma Semicorex é especialmente projetado para atender às altas demandas de processamento de gravação de plasma na indústria de semicondutores. Nossos componentes avançados e revestidos de carboneto de silício de alta pureza são construídos para resistir a ambientes extremos e são adequados para uso em diversas aplicações, incluindo camadas de carboneto de silício e semicondutores de epitaxia.

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Descrição do produto

Nosso anel de foco de processamento de plasma é altamente estável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva, tornando-o a escolha ideal para uso em câmaras de gravação a plasma (ou gravação a seco). Projetados para melhorar a uniformidade de gravação ao redor da borda ou perímetro do wafer, nossos anéis de foco ou anéis de borda são projetados para minimizar a contaminação e a manutenção não programada.

Nosso revestimento SiC é um revestimento de carboneto de silício denso e resistente ao desgaste, com altas propriedades de resistência à corrosão e ao calor, bem como excelente condutividade térmica. Aplicamos SiC em camadas finas sobre o grafite usando o processo de deposição química de vapor (CVD). Isso garante que nossos anéis de foco SiC tenham qualidade e durabilidade superiores, tornando-os uma escolha confiável para suas necessidades de processamento de gravação a plasma.

Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso anel de foco de processamento de plasma.


Parâmetros do anel de foco de processamento de plasma

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características do anel de foco de processamento de plasma

- Revestimentos de carboneto de silício CVD para melhorar a vida útil.

- Isolamento térmico em carbono rígido purificado de alto desempenho.

- Aquecedor e placa composta de carbono/carbono. - Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

- Revestimento de grafite e SiC de alta pureza para resistência a furos e maior vida útil



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