O anel de foco de processamento de plasma Semicorex é especialmente projetado para atender às altas demandas de processamento de gravação de plasma na indústria de semicondutores. Nossos componentes avançados e revestidos de carboneto de silício de alta pureza são construídos para resistir a ambientes extremos e são adequados para uso em diversas aplicações, incluindo camadas de carboneto de silício e semicondutores de epitaxia.
Nosso anel de foco de processamento de plasma é altamente estável para RTA, RTP ou limpeza química agressiva, tornando-o a escolha ideal para uso em câmaras de gravação a plasma (ou gravação a seco). Projetados para melhorar a uniformidade de gravação ao redor da borda ou perímetro do wafer, nossos anéis de foco ou anéis de borda são projetados para minimizar a contaminação e a manutenção não programada.
Nosso revestimento SiC é um revestimento de carboneto de silício denso e resistente ao desgaste, com altas propriedades de resistência à corrosão e ao calor, bem como excelente condutividade térmica. Aplicamos SiC em camadas finas sobre o grafite usando o processo de deposição química de vapor (CVD). Isso garante que nossos anéis de foco SiC tenham qualidade e durabilidade superiores, tornando-os uma escolha confiável para suas necessidades de processamento de gravação a plasma.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nosso anel de foco de processamento de plasma.
Parâmetros do anel de foco de processamento de plasma
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
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Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do anel de foco de processamento de plasma
- Revestimentos de carboneto de silício CVD para melhorar a vida útil.
- Isolamento térmico em carbono rígido purificado de alto desempenho.
- Aquecedor e placa composta de carbono/carbono. - Tanto o substrato de grafite quanto a camada de carboneto de silício possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Revestimento de grafite e SiC de alta pureza para resistência a furos e maior vida útil