O anel de foco de processamento de plasma Semicorex foi especialmente projetado para atender às altas demandas de processamento de gravação de plasma na indústria de semicondutores. Nossos componentes revestidos de carboneto de silício avançados e de alta pureza são construídos para suportar ambientes extremos e são adequados para uso em várias aplicações, incluindo camadas de carboneto de silício e semicondutores de epitaxia.
Nosso anel de foco de processamento de plasma é altamente estável para RTA, RTP ou limpeza química severa, tornando-os uma escolha ideal para uso em câmaras de gravação a plasma (ou gravação a seco). Projetados para melhorar a uniformidade do ataque ao redor da borda ou perímetro do wafer, nossos anéis de foco ou anéis de borda são projetados para minimizar a contaminação e a manutenção não programada.
Nosso revestimento de SiC é um revestimento de carboneto de silício denso e resistente ao desgaste, com altas propriedades de resistência à corrosão e ao calor, bem como excelente condutividade térmica. Aplicamos SiC em camadas finas sobre o grafite usando o processo de deposição química de vapor (CVD). Isso garante que nossos SiC Focus Rings tenham qualidade e durabilidade superiores, tornando-os uma escolha confiável para suas necessidades de processamento de plasma.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nosso anel de foco de processamento de plasma.
Parâmetros do anel de foco de processamento de plasma
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
||
Propriedades do SiC-CVD |
||
Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do anel de foco de processamento de plasma
- Revestimentos de carboneto de silício CVD para melhorar a vida útil.
- Isolamento térmico em carbono rígido purificado de alto desempenho.
- Aquecedor e placa composta de carbono/carbono.- Tanto o substrato de grafite como a camada de carboneto de silício têm uma alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
- Grafite de alta pureza e revestimento de SiC para resistência a furos e maior vida útil