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Anéis de entrada MOCVD

Anéis de entrada MOCVD

Semicorex é um fabricante e fornecedor em grande escala de grafite revestido com carboneto de silício na China. Nossos anéis de entrada MOCVD têm uma boa vantagem de preço e cobrem muitos mercados europeus e americanos. Estamos ansiosos para nos tornar seu parceiro de longo prazo.

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Descrição do produto

A Semicorex fornece anéis de entrada MOCVD usados ​​na deposição e processamento de wafer, que são realmente estáveis ​​para RTA, RTP ou limpeza química agressiva. Nossos anéis de entrada MOCVD possuem construção de grafite revestida com carboneto de silício (SiC) de alta pureza, que fornece resistência ao calor superior, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável. O revestimento fino de cristal SiC fornece uma superfície limpa e lisa, crítica para o manuseio, uma vez que os wafers imaculados entram em contato com o susceptor em muitos pontos em toda a sua área.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer anéis de entrada MOCVD de alta qualidade e econômicos, priorizamos a satisfação do cliente e fornecemos soluções econômicas. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de alta qualidade e atendimento ao cliente excepcional.


Parâmetros dos anéis de entrada MOCVD

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Características dos anéis de entrada MOCVD

- Boa densidade e pode desempenhar um bom papel protetor em ambientes de trabalho corrosivos e de alta temperatura.

- Alto ponto de fusão, resistência à oxidação em altas temperaturas, resistência à corrosão.




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