Barco de wafer epitaxial

A Semicorex fornece barcos de wafer, pedestais e transportadores de wafer personalizados para configurações verticais/colunas e horizontais. Somos fabricantes e fornecedores de filme de revestimento de carboneto de silício há muitos anos. Nosso Barco Wafer Epitaxial tem uma boa vantagem de preço e cobre a maior parte dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

Semicorex Epitaxial Wafer Boat, a solução perfeita para processamento de wafer na fabricação de semicondutores. Nossos barcos wafer epitaxiais são feitos de cerâmica de carboneto de silício (SiC) de alta qualidade que oferece resistência superior a altas temperaturas e corrosão química.
Nosso Wafer Boat Epitaxial de carboneto de silício possui uma superfície lisa que minimiza a geração de partículas, garantindo o mais alto nível de pureza para seus produtos. Com excelente condutividade térmica e resistência mecânica superior, nossos barcos proporcionam resultados consistentes e confiáveis.
Nossos barcos de wafer epitaxiais são compatíveis com todos os equipamentos padrão de processamento de wafer e podem suportar temperaturas de até 1600°C. Eles são fáceis de manusear e limpar, o que os torna uma escolha econômica e eficiente para suas necessidades de fabricação.
Nossa equipe de especialistas está comprometida em fornecer a melhor qualidade e serviço. Oferecemos designs personalizados para atender às suas necessidades específicas e nossos produtos são apoiados por nosso programa de garantia de qualidade.

Parâmetros do Barco Wafer Epitaxial

Propriedades Técnicas
Índice	Unidade	Valor
Nome do material		Carboneto de silício sinterizado de reação	Carboneto de silício sinterizado sem pressão	Carboneto de Silício Recristalizado
Composição		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densidade aparente	g/cm3	3	3,15±0,03	2,60-2,70
Resistência Flexural	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Resistência à Compressão	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Dureza	Botão	2700	2800	/
Quebrando a Tenacidade	MPam1/2	4.5	4	/
Condutividade Térmica	W/m.k	95	120	23
Coeficiente de Expansão Térmica	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Calor Específico	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Temperatura máxima no ar	℃	1200	1500	1600
Módulo Elástico	GP	360	410	240

A diferença entre SSiC e RBSiC:

1. O processo de sinterização é diferente. O RBSiC deve infiltrar Si livre no carboneto de silício a baixa temperatura, o SSiC é formado por encolhimento natural a 2.100 graus.

2. SSiC tem superfície mais lisa, maior densidade e maior resistência, para algumas vedações com requisitos de superfície mais rígidos, SSiC será melhor.

3. Diferentes tempos de uso sob diferentes PH e temperatura, SSiC é mais longo que RBSiC

Características do barco wafer epitaxial de carboneto de silício

SiC de alta pureza revestido por MOCVD
Resistência térmica superior e uniformidade térmica
Cristal fino de SiC revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.