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Efetor final para manuseio de wafer

Efetor final para manuseio de wafer

Os efeitos finais Semicorex para manuseio de wafer são dimensionalmente precisos e termicamente estáveis ​​para processamento de wafer. Somos fabricantes e fornecedores de elementos de revestimento de carboneto de silício há muitos anos. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem a maior parte dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

Os efeitos finais Semicorex para manuseio de wafer são dimensionalmente precisos e termicamente estáveis, ao mesmo tempo que possuem um filme de revestimento CVD SiC suave e resistente à abrasão para manusear wafers com segurança sem danificar dispositivos ou produzir contaminação por partículas, o que pode mover wafers semicondutores entre posições em equipamentos de processamento de wafer e transportadores com precisão e eficiência. Nosso efetor final de revestimento de carboneto de silício (SiC) de alta pureza para manuseio de wafer oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso efetor final para manuseio de wafer tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de qualidade consistente e atendimento ao cliente excepcional.


Parâmetros do Efetor Final para Manuseio de Wafer

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD

Estrutura Cristalina

Fase β do FCC

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho do grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimação

2700

Força Felexural

MPa (TR 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)

430

Expansão Térmica (CTE)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Recursos do End Effector para manuseio de wafer

Revestimento de SiC de alta pureza usado método CVD

Resistência térmica superior e uniformidade térmica

Cristal fino de SiC revestido para uma superfície lisa

Alta durabilidade contra limpeza química

O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.




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