Os Efetores Finais Semicorex para Manuseio de Wafer são dimensionalmente precisos e termicamente estáveis para o processamento de wafer. Há muitos anos que somos fabricantes e fornecedores de elementos de revestimento de carboneto de silício. Nossos produtos têm uma boa vantagem de preço e cobrem a maioria dos mercados europeu e americano. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo na China.
Semicorex End Effector for Wafer Handling são dimensionalmente precisos e termicamente estáveis, ao mesmo tempo em que possuem um filme de revestimento CVD SiC suave e resistente à abrasão para manusear wafers com segurança sem danificar dispositivos ou produzir contaminação particulada, que pode mover wafers semicondutores entre posições em equipamentos de processamento de wafer e transportadores precisa e eficiente. Nosso End Effector de revestimento de carboneto de silício (SiC) de alta pureza para manuseio de wafer oferece resistência superior ao calor, uniformidade térmica uniforme para espessura e resistência consistentes da camada epi e resistência química durável.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer produtos de alta qualidade e econômicos aos nossos clientes. Nosso End Effector para Manuseio de Wafer tem uma vantagem de preço e é exportado para muitos mercados europeus e americanos. Nosso objetivo é ser seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de qualidade consistente e atendimento excepcional ao cliente.
Parâmetros do End Effector para Manuseio de Wafer
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades do SiC-CVD |
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Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Características do End Effector para Manuseio de Wafer
Revestimento SiC de alta pureza usado método CVD
Resistência ao calor superior e uniformidade térmica
Cristal de SiC fino revestido para uma superfície lisa
Alta durabilidade contra limpeza química
O material é projetado para que não ocorram rachaduras e delaminação.