Os anéis de foco duráveis Semicorex para processamento de semicondutores são projetados para suportar os ambientes extremos das câmaras de gravação de plasma usadas no processamento de semicondutores. Nossos anéis de foco são feitos de grafite de alta pureza revestidos com um revestimento denso e resistente ao desgaste de carboneto de silício (SiC). O revestimento SiC possui altas propriedades de resistência à corrosão e ao calor, além de excelente condutividade térmica. Aplicamos SiC em camadas finas sobre o grafite usando o processo de deposição química de vapor (CVD) para melhorar a vida útil de nossos anéis de foco.
Nossos anéis de foco duráveis para processamento de semicondutores são projetados para melhorar a uniformidade de gravação ao redor da borda ou perímetro do wafer, minimizando a contaminação e a manutenção não programada. Eles são altamente estáveis para recozimento térmico rápido (RTA), processamento térmico rápido (RTP) e limpeza química severa.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer anéis de foco duráveis de alta qualidade e econômicos para processamento de semicondutores, priorizamos a satisfação do cliente e fornecemos soluções econômicas. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo, fornecendo produtos de alta qualidade e atendimento ao cliente excepcional.
Contate-nos hoje para saber mais sobre nossos anéis de foco duráveis para processamento de semicondutores.
Parâmetros de anéis de foco duráveis para processamento de semicondutores
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades SiC-CVD |
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Estrutura Cristalina |
Fase β do FCC |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho do grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (TR 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) |
430 |
Expansão Térmica (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Recursos de anéis de foco duráveis para processamento de semicondutores
● Revestimento de grafite e SiC de alta pureza para resistência a furos e maior vida útil.
● Tanto o substrato de grafite quanto a camada de SiC possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
● O revestimento SiC é aplicado em camadas finas para melhorar a vida útil.