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Anéis de foco duráveis ​​para processamento de semicondutores

Anéis de foco duráveis ​​para processamento de semicondutores

Os anéis de foco duráveis ​​Semicorex para processamento de semicondutores são projetados para suportar os ambientes extremos das câmaras de gravação de plasma usadas no processamento de semicondutores. Nossos anéis de foco são feitos de grafite de alta pureza revestido com um revestimento de carboneto de silício (SiC) denso e resistente ao desgaste. O revestimento de SiC possui altas propriedades de resistência à corrosão e ao calor, bem como excelente condutividade térmica. Aplicamos SiC em camadas finas sobre o grafite usando o processo de deposição de vapor químico (CVD) para melhorar a vida útil de nossos anéis de foco.

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Descrição do produto

Nossos anéis de foco duráveis ​​para processamento de semicondutores são projetados para melhorar a uniformidade de gravação ao redor da borda ou do perímetro do wafer, minimizando a contaminação e a manutenção não programada. Eles são altamente estáveis ​​para recozimento térmico rápido (RTA), processamento térmico rápido (RTP) e limpeza química severa.

Na Semicorex, nos concentramos em fornecer anéis de foco duráveis ​​de alta qualidade e econômicos para processamento de semicondutores, priorizamos a satisfação do cliente e fornecemos soluções econômicas. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de alta qualidade e atendimento excepcional ao cliente.

Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nossos anéis de foco duráveis ​​para processamento de semicondutores.


Parâmetros de anéis de foco duráveis ​​para processamento de semicondutores

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades do SiC-CVD

Estrutura de cristal

FCC fase β

Densidade

g/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamanho de grão

μm

2~10

Pureza Química

%

99.99995

Capacidade de calor

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura de Sublimação

2700

Força Felexural

MPa (RT 4 pontos)

415

Módulo de Young

Gpa (dobra de 4pt, 1300â)

430

Expansão Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Condutividade térmica

(W/mK)

300


Recursos de anéis de foco duráveis ​​para processamento de semicondutores

â Grafite de alta pureza e revestimento de SiC para resistência a furos e vida útil mais longa.

â Tanto o substrato de grafite quanto a camada de SiC possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.

○ O revestimento de SiC é aplicado em camadas finas para melhorar a vida útil.



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