Os anéis de foco duráveis Semicorex para processamento de semicondutores são projetados para suportar os ambientes extremos das câmaras de gravação de plasma usadas no processamento de semicondutores. Nossos anéis de foco são feitos de grafite de alta pureza revestido com um revestimento de carboneto de silício (SiC) denso e resistente ao desgaste. O revestimento de SiC possui altas propriedades de resistência à corrosão e ao calor, bem como excelente condutividade térmica. Aplicamos SiC em camadas finas sobre o grafite usando o processo de deposição de vapor químico (CVD) para melhorar a vida útil de nossos anéis de foco.
Nossos anéis de foco duráveis para processamento de semicondutores são projetados para melhorar a uniformidade de gravação ao redor da borda ou do perímetro do wafer, minimizando a contaminação e a manutenção não programada. Eles são altamente estáveis para recozimento térmico rápido (RTA), processamento térmico rápido (RTP) e limpeza química severa.
Na Semicorex, nos concentramos em fornecer anéis de foco duráveis de alta qualidade e econômicos para processamento de semicondutores, priorizamos a satisfação do cliente e fornecemos soluções econômicas. Estamos ansiosos para nos tornarmos seu parceiro de longo prazo, oferecendo produtos de alta qualidade e atendimento excepcional ao cliente.
Entre em contato conosco hoje para saber mais sobre nossos anéis de foco duráveis para processamento de semicondutores.
Parâmetros de anéis de foco duráveis para processamento de semicondutores
Principais especificações do revestimento CVD-SIC |
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Propriedades do SiC-CVD |
||
Estrutura de cristal |
FCC fase β |
|
Densidade |
g/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamanho de grão |
μm |
2~10 |
Pureza Química |
% |
99.99995 |
Capacidade de calor |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Temperatura de Sublimação |
℃ |
2700 |
Força Felexural |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (dobra de 4pt, 1300â) |
430 |
Expansão Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Condutividade térmica |
(W/mK) |
300 |
Recursos de anéis de foco duráveis para processamento de semicondutores
â Grafite de alta pureza e revestimento de SiC para resistência a furos e vida útil mais longa.
â Tanto o substrato de grafite quanto a camada de SiC possuem alta condutividade térmica e excelentes propriedades de distribuição de calor.
○ O revestimento de SiC é aplicado em camadas finas para melhorar a vida útil.