Anéis de aterramento superiores revestidos com CVD SiC

SiC CVDanéis de aterramento superiores revestidos são normalmente instalados na região superior da câmara de reação em equipamentos de gravação a plasma, circundando o mandril eletrostático do wafer. Os anéis de aterramento superiores revestidos com CVD SiC são vitais para todo o sistema de gravação, que pode atuar como barreira física para proteger os componentes do dispositivo contra ataque de plasma e ajustar o campo elétrico interno e confinar a faixa de distribuição do plasma para garantir resultados de gravação uniformes.

A gravação por plasma é uma tecnologia de gravação a seco amplamente utilizada na fabricação de semicondutores, que funciona utilizando interações físicas e químicas entre o plasma e a superfície de materiais semicondutores para remover seletivamente áreas específicas, conseguindo assim o processamento de estruturas de precisão. No exigente ambiente de gravação a plasma, o plasma de alta energia causa corrosão agressiva e ataque aos componentes dentro da câmara de reação. Para garantir uma operação confiável e eficiente, os componentes da câmara devem ter excelente resistência à corrosão, propriedades mecânicas e características de baixa contaminação. Os anéis de aterramento superiores revestidos com SiC Semicorex CVD são perfeitamente projetados para lidar com esses ambientes operacionais agressivos e de alta corrosão.

Revestimento CVD SiC confiável

Para um melhor desempenho em condições severas de corrosão, os anéis de aterramento superiores revestidos com CVD SiC da Semicorex são cobertos com um revestimento CVD SiC de alto desempenho, o que melhora ainda mais seu desempenho e durabilidade.

1. Pureza ultra-alta

ORevestimento de SiCfabricado através do processo CVD apresenta excelente densificação com pureza ultra-alta (pureza superior a 99,9999%), o que pode evitar que os anéis de aterramento superiores revestidos com SiC Semicorex CVD sejam atacados por plasma de alta energia em aplicações de gravação, evitando assim a contaminação causada por partículas de impureza das matrizes.

2. Melhor resistência à corrosão

O revestimento de SiC fabricado através do processo CVD oferece maior resistência à corrosão, fazendo com que os anéis de aterramento superiores revestidos com SiC da Semicorex CVD resistam efetivamente à corrosão desafiadora do plasma (especialmente gases corrosivos, como halogênios e flúor).

3. Propriedades mecânicas aprimoradas

Os anéis retificados superiores revestidos com SiC CVD Semicorex podem suportar o intenso bombardeio de plasma, estresse mecânico e manuseio frequente sem deformação ou fratura durante o serviço de longo prazo, graças à maior dureza e resistência ao desgaste do revestimento CVD SiC.

Processamento de alto padrão e inspeção de qualidade

Para se adaptar perfeitamente às exigentes condições de gravação de semicondutores, os anéis de aterramento superiores revestidos com SiC Semicorex CVD passam por usinagem de precisão e inspeção rigorosa.

Tratamento de superfície: A precisão do polimento é Ra <0,1µm; a precisão de moagem fina é Ra> 0,1 µm

A precisão do processamento é controlada dentro de ≤ 0,03 mm

Inspeção de qualidade:

Os anéis sólidos CVD SiC Semicorex estão sujeitos à análise ICP-MS (espectrometria de massa com plasma indutivamente acoplado). Os anéis sólidos CVD SiC Semicorex estão sujeitos a medição dimensional, testes de resistividade e inspeção visual, garantindo que os produtos estejam livres de lascas, arranhões, rachaduras, manchas e outros defeitos.