Placa receptora

A Placa Susceptora Semicorex é um componente crucial no processo de crescimento epitaxial, projetada especificamente para transportar wafers semicondutores durante a deposição de filmes ou camadas finas. No contexto da Deposição de Vapor Químico Metal-Orgânico (MOCVD), essas placas são particularmente fabricadas com materiais que podem suportar altas temperaturas e fornecer uma superfície estável para o crescimento de camadas epitaxiais.

A Placa Susceptora utilizada neste processo é construída a partir de grafite revestida com carboneto de silício (SiC) através de um processo MOCVD próprio. O carboneto de silício oferece excepcional estabilidade térmica, resistência mecânica e resistência a reações químicas, tornando-o a escolha ideal para as condições exigentes de crescimento epitaxial.

Durante o MOCVD, a Placa Susceptora desempenha um papel fundamental, transferindo efetivamente o calor para os wafers semicondutores. A placa absorve energia do ambiente circundante e a irradia em direção aos wafers, facilitando a deposição controlada de filmes finos nas superfícies dos wafers. Este controle preciso da temperatura é essencial para obter camadas epitaxiais uniformes e de alta qualidade, que são cruciais na produção de dispositivos semicondutores avançados.

A Placa Susceptora nos processos MOCVD, composta de grafite revestida com SiC, serve como uma plataforma confiável para suportar wafers semicondutores, garantindo ótima transferência de calor e contribuindo para o crescimento epitaxial bem-sucedido de filmes finos com características desejadas para aplicações de semicondutores.