O disco susceptor Semicorex é uma ferramenta indispensável na deposição de vapor químico metal-orgânico (MOCVD), projetado especificamente para suportar e aquecer wafers semicondutores durante o processo crítico de deposição da camada epitaxial. O Disco Susceptor é fundamental na fabricação de dispositivos semicondutores, onde o crescimento preciso da camada é fundamental. O compromisso da Semicorex com a qualidade líder de mercado, aliado a considerações fiscais competitivas, cimenta nosso desejo de estabelecer parcerias no cumprimento de seus requisitos de transporte de wafers semicondutores.
Fabricado a partir de grafite de alta pureza e revestido com uma camada de carboneto de silício (SiC) usando a técnica MOCVD, o Disco Susceptor Semicorex combina propriedades térmicas excepcionais com notável estabilidade química. O revestimento de carboneto de silício garante excelente resistência a altas temperaturas e condições corrosivas, crucial para manter a integridade do Disco Susceptor em ambientes desafiadores.
Além disso, o revestimento de SiC no disco susceptor aumenta a sua condutividade térmica, o que permite uma distribuição de calor rápida e uniforme, crítica para um crescimento epitaxial consistente. Absorve e irradia calor com eficiência, proporcionando uma temperatura estável e uniforme, essencial para a deposição de filmes finos. Essa uniformidade é vital para obter camadas epitaxiais de alta qualidade, fundamentais para a funcionalidade e desempenho de dispositivos semicondutores avançados.
O design do Disco Susceptor também aborda o desafio da expansão térmica. O seu coeficiente mínimo de expansão térmica garante uma forte ligação com as camadas epitaxiais, reduzindo o risco de fissuras devido à ciclagem térmica. Esse recurso, juntamente com o alto ponto de fusão e excelente resistência à oxidação do Disco Susceptor, permite uma operação confiável sob condições extremas.
Com essas propriedades avançadas, o Disco Susceptor não apenas atende, mas também excede os rigorosos requisitos das modernas aplicações MOCVD, fornecendo uma solução confiável e de alto desempenho que melhora a eficiência geral e o resultado do processo de crescimento epitaxial.