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Peças sobressalentes no crescimento epitaxial
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Peças sobressalentes no crescimento epitaxial

As peças sobressalentes Semicorex em crescimento epitaxial são componentes cruciais utilizados em sistemas de crescimento epitaxial, particularmente em processos que envolvem configurações de tubos de quartzo. Estas peças desempenham um papel vital na facilitação do fluxo de gás para impulsionar a rotação da base da bandeja e garantir o controle preciso da temperatura durante todo o processo de crescimento epitaxial. A Semicorex está comprometida em fornecer produtos de qualidade a preços competitivos. Esperamos nos tornar seu parceiro de longo prazo na China.

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Descrição do produto

As peças sobressalentes Semicorex em crescimento epitaxial são absolutamente críticas, especialmente para processos que envolvem configurações de tubos de quartzo. Estas peças são essenciais para facilitar o fluxo de gás para impulsionar a rotação da base da bandeja e garantir o controle preciso da temperatura durante todo o processo de crescimento epitaxial. As peças sobressalentes Semicorex em crescimento epitaxial, coloquialmente conhecidas como meias peças, são meticulosamente projetadas para suportar altas temperaturas e ambientes corrosivos inerentes às câmaras de crescimento epitaxial. Construídos em Carboneto de Silício (SiC), eles oferecem excepcional estabilidade térmica e química, tornando-os a escolha ideal para aplicações tão exigentes. O uso de SiC garante que essas peças sejam capazes de resistir até mesmo às condições mais desafiadoras.

As peças sobressalentes no crescimento epitaxial lembram o formato de uma lua crescente, projetadas para caber perfeitamente no conjunto do tubo de quartzo. Sua configuração exclusiva em meia-lua permite que sejam facilmente inseridos e removidos do sistema, facilitando os procedimentos de manutenção e substituição com eficiência e precisão.

As peças sobressalentes no crescimento epitaxial servem a vários propósitos. Em primeiro lugar, auxiliam na distribuição controlada de gases essenciais para o processo de crescimento epitaxial. Ao regular as taxas de fluxo e distribuição de gás, eles garantem a deposição uniforme de materiais semicondutores na superfície do substrato, crucial para alcançar as propriedades desejadas do material e o desempenho do dispositivo.

As peças sobressalentes no crescimento epitaxial contribuem para o movimento rotacional da base da bandeja dentro da câmara de crescimento. Essa rotação é fundamental para promover uma distribuição uniforme dos materiais depositados, evitando a formação de irregularidades ou defeitos nas camadas epitaxiais.




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