A cerâmica de carboneto de silício (SiC) é um material cerâmico avançado que contém silício e carbono. Grãos de carboneto de silício podem ser unidos por sinterização para formar cerâmicas muito duras. A Semicorex fornece cerâmica de carboneto de silício personalizada conforme sua necessidade.
Aplicações
Com a cerâmica de carboneto de silício, as propriedades do material permanecem constantes até temperaturas acima de 1.400°C. O alto módulo de Young > 400 GPa garante excelente estabilidade dimensional.
Uma aplicação típica para componentes de carboneto de silício é a tecnologia de vedação dinâmica que utiliza rolamentos de fricção e vedações mecânicas, por exemplo, em bombas e sistemas de acionamento.
Com propriedades avançadas, as cerâmicas de carboneto de silício também são ideais para uso na indústria de semicondutores.
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O Semicorex Wafer Boat é fabricado em cerâmica de carboneto de silício sinterizado, que apresenta boa resistência à corrosão e excelente resistência a altas temperaturas e choque térmico. A cerâmica avançada oferece excelente resistência térmica e durabilidade do plasma, ao mesmo tempo que atenua partículas e contaminantes para transportadores de wafer de alta capacidade.
Carboneto de silício sinterizado por reação
Em comparação com outros processos de sinterização, a mudança de tamanho da sinterização por reação durante o processo de densificação é pequena e podem ser produzidos produtos com dimensões precisas. No entanto, a presença de uma grande quantidade de SiC no corpo sinterizado piora o desempenho em altas temperaturas da cerâmica de SiC sinterizada por reação.
Carboneto de silício sinterizado sem pressão
O carboneto de silício sinterizado sem pressão (SSiC) é uma cerâmica particularmente leve e ao mesmo tempo dura de alto desempenho. SSiC é caracterizado por alta resistência, que permanece quase constante mesmo em temperaturas extremas.
Carboneto de silício recristal
O carboneto de silício recristalizado (RSiC) são materiais de próxima geração formados pela mistura de pó grosso de carboneto de silício de alta pureza e pó fino de carboneto de silício de alta atividade e, após o rejuntamento, sinterização a vácuo a 2.450 ° C para recristalizar.
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